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德州仪器谢尔曼晶圆制造基地工厂将于2025年开始投产

德州仪器今日宣布其位于德克萨斯州谢尔曼 (Sherman) 的全新 12 英寸半导体晶圆制造基地正式破土动工。德州仪器董事长、总裁及首席执行官谭普顿 (Rich Templeton) 先生在动工仪式上庆祝该基...

2022-05-19 标签:德州仪器晶圆半导体技术 207

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

我们华林科纳讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题(从有机硅化合物)的问题,特别注意表面条件,以及一些原位表面诊断的例子。由于等离子体介质与精密的表面分析装置不兼容,讲了...

2022-05-19 标签:等离子体蚀刻 52

富士康计划新建12英寸晶圆厂,将锁定28nm及40nm制程

今日,据媒体报道,为扩大产能,满足电动汽车生产的需求,富士康计划在马来西亚新建12英寸晶圆厂。 富士康将通过旗下一家子公司与位于马来西亚的科技公司Dagang NeXchange Berhad展开合作,一...

2022-05-18 标签:富士康40nm制程28nm制程12英寸晶圆 280

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

本文介绍了我们华林科纳研究了污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响。硅表面专门暴露在有机和金属污染中,以研究它们对碱性纹理化过程的影响,由此可见,无机污染对金字塔密度的影响不小...

2022-05-18 标签:晶片清洗刻蚀 144

安徽富信赴云谷企业家交流会,携手同芯促进行业健康发展

安徽富信赴云谷企业家交流会,携手同芯促进行业健康发展

近日,由深圳市电子商会、溢辉源展览、天安骏业和天安云谷物业共同举办的“同芯同行,走进云谷企业交流对接会(深圳电子元器件及物料专场采供对接会)”在龙岗天安云谷顺利举办。本次...

2022-05-19 标签:电子元器件电阻电容 3

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组,进行了清洗实验及室温接合, 以上工艺除热处理工艺外,通过最小化工序内部时间间隔,抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...

2022-05-16 标签:晶片硅片键合硅衬底 234

传三星预将芯片制造价格上调至多20%;美光首发232层3D NAND,将于2022年末量产

传三星预将芯片制造价格上调至多20%;美光首发232层3D NAND,将于2022年末量产

传三星预将芯片制造价格上调至多 20% ? 根据外媒的最新消息,三星正就将芯片制造价格提高20%进行商议。值得注意的是,除了三星之外,台积电此前也宣布,将从明年1月起将全面调整晶圆代...

2022-05-15 标签:三星电子芯片制造美光3d nand 5210

芯片设计之逻辑等价检查 (LEC)

芯片设计之逻辑等价检查 (LEC)

除了 Verilog 和 VHDL 支持读取设计文件外,Conformal 工具还支持读取 Verilog 标准仿真库和 Liberty 格式库。...

2022-05-13 标签:芯片设计vhdlD触发器 582

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火,获得了无空洞或微裂纹的牢固结合,基于详细的表面和键合界面表征,...

2022-05-13 标签:工艺晶片键合 491

千万直投机会!第十四届深创赛福田预选赛-第八届硬创大赛开启

千万直投机会!第十四届深创赛福田预选赛-第八届硬创大赛开启

大赛报名①报名联系联系人:徐女士电话:15972964176②微信报名联系人:大赛助手③合作联系联系人:刘女士电话:18520838366中国硬件创新创客大赛(简称华秋硬创)是新时代硬件创业者综合性服务...

2022-05-19 标签:智能硬件 7

分析师:芯片短缺将持续到2024年

分析师:芯片短缺将持续到2024年

Supplyframe 的Commodity IQ 分析指出了一些严峻的趋势。零部件仍将稀缺,价格将继续上涨。85%的调研公司认为价格会在第二季度增加,83%的认为交付周期预计将延长。...

2022-05-13 标签:半导体元器件 620

详解化学镍沉积技术的沉积过程

详解化学镍沉积技术的沉积过程

本文报道了这种化学镍的形成,包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查,研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响,以帮助详细了解活化机理,并确定它们对化学...

2022-05-13 标签:工艺晶片刻蚀 413

关于EUV光刻机的缺货问题

关于EUV光刻机的缺货问题

台积电和三星从7nm工艺节点就开始应用EUV光刻层了,并且在随后的工艺迭代中,逐步增加半导体制造过程中的EUV光刻层数。...

2022-05-13 标签:光刻机EUV三星 607

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

本文介绍了我们华林科纳研究不同清洗方法(离心和透析)对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响,关于透析过程,核磁共振分析表明,经过9个清洗周期后,柠檬酸浓度与第一次...

2022-05-12 标签:纳米清洗 417

自恢复保险丝pptc 工作原理和选型

自恢复保险丝pptc 工作原理和选型

自恢复保险丝pptc工作原理和选型技巧自恢复保险丝PTC是一种过流保护器件,具有过流自动断开,过流消失后自动恢复的特点。当电流到达动作电流Itrip值时,PTC阻值剧增相当于开关断开,从而后...

2022-05-19 标签:保险丝 4

台积电成熟制程再传涨价 国产IC设计再陷困局

台积电成熟制程再传涨价 国产IC设计再陷困局

 台积电预计2022年将是又一个强劲增长的一年。它估计年收入可能会再增长30%,未来几年的复合年增长率将达到15-20%。预计增长将受到来自5G和高性能计算的半导体长期结构升级的推动。...

2022-05-12 标签:台积电IC设计晶圆代工 1092

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

我们华林科纳研究了三种化学溶液,用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液,其中n =β和...

2022-05-12 标签:光栅激光器清洗 349

晶圆代工厂仍在持续喊涨?

时至今日,终端市场需求疲软已成定局,不仅是中低端芯片去库存,连GPU价格都出现暴跌,晶圆厂虽然没有呈现明显下降趋势,但上游喊涨似乎并不容易,部分半导体材料厂商向下游传导涨价需...

2022-05-11 标签:晶圆电源管理芯片 547

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

接上回的实验演示 ? 实验演示? 非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移; 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 270

PCB线路板处理工艺中的“喷锡”有哪些?

PCB线路板处理工艺中的“喷锡”有哪些?

随着电子行业不断的发展,PCB的技术水平也在水涨船高,常见的表面处理工艺就有喷锡,沉金,镀金,OSP等;其中喷锡分为无铅喷锡和有铅喷锡。那么,PCB线路板处理工艺中的“喷锡”有哪些?...

2022-05-19 标签:焊锡 7

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

?引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 173

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

基本化学成分以Cl2为基础,外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测,以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在...

2022-05-11 标签:工艺蚀刻 200

华为公布两项关于芯片堆叠技术专利

华为公布两项关于芯片堆叠技术专利

堆叠技术也可以叫做3D堆叠技术,是利用堆叠技术或通过互连和其他微加工技术在芯片或结构的Z轴方向上形成三维集成,信号连接以及晶圆级,芯片级和硅盖封装具有不同的功能,针对包装和可...

2022-05-10 标签:华为芯片堆叠 665

3D打印对半导体制造的影响

3D打印对半导体制造的影响

传统驱动过程的问题在于它只允许喷射稀薄的墨水,然后由于它们的高流体含量而被压平在基材上。驱动的液滴不小于喷射它们的喷嘴的尺寸。这种传统的推动概念在物理上将喷嘴尺寸限制在几...

2022-05-09 标签:半导体制造3D打印 617

DPU应用场景系列(二) 存储功能卸载

DPU应用场景系列(二) 存储功能卸载

DPU应用场景系列(二)存储功能卸载一、NVMe-oF硬件加速NVMeoverFabric(又名NVMe-oF)是一个相对较新的协议规范,旨在使用NVMe通过网络结构将主机连接到存储,支持对数据中心的计算和存储进行分...

2022-05-19 标签:DPU 7

提高全球芯片产量需要面临哪些问题

一个复杂的测试工具需要80个可以在生产后重新编程的专业芯片,但随后有助于每年生产320,000个相同的芯片。...

2022-05-09 标签:微控制器英特尔台积电ASML 488

三大晶圆代工厂商Q1成长动能强劲 晶圆代工产业迎来“开门红”

三大晶圆代工厂商Q1成长动能强劲 晶圆代工产业迎来“开门红”

先进制程(7纳米及7纳米以下的制程)营收占到台积电全季度晶圆销售金额的50%,其中5纳米制程占比20%,7纳米制程占比30%。...

2022-05-09 标签:台积电联电晶圆代工 461

芯片扩产不及预期 芯片短缺影响恐将持续

 工控芯片主要用于电机控制、仪器仪表、低压配电、电动工具等多元应用场景,但由于工控市场规模有限,工控芯片相对而言不那么受重视。...

2022-05-09 标签:fpga集成电路pcb晶圆代工嵌入式处理器 1057

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。 ? 泛林集团在与...

2022-05-07 标签:半导体电路仿真FinFET 5092

安徽富信丨关于FOSAN、FOJAN的品牌商标说明

安徽富信丨关于FOSAN、FOJAN的品牌商标说明

安徽富信FOSAN品牌旗下设有富信半导体及富捷电子两大事业部,是一家以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为一体的电子元器件综合厂商。...

2022-05-19 标签:电子元器件电阻电容 7

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层,通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层,发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构,用这种方法可以制作品质因数高得多的多孔硅微腔,...

2022-05-06 标签:超声波蚀刻蚀刻工艺 592

同步整流芯片行业未来发展趋势

同步整流芯片行业未来发展趋势

 未来同步整流将成为一个功率模块,易于使用,方便设计者调试。同步整流,DC/DC,USB协议芯片等集成在一个封装体内,实现多个功能。...

2022-05-06 标签:开关电源同步整流整流芯片 960

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

本研究利用CFD模拟分析了半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性,并根据分析Case和晶片位置观察了设计因子变化时的速度变化。...

2022-05-06 标签:半导体特性晶片 389

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化...

2022-05-06 标签:多晶硅蚀刻 295

半导体各大厂情况如何

根据规划,意法半导体将在未来4年内大幅提升晶圆产能,计划在2020 年至2025 年期间将欧洲工厂的整体产能提升一倍,主要是增加300mm(12英寸)产能;对于200 mm(8 英寸)产能,意法半导体将选择...

2022-05-05 标签:adi安森美microchip模拟器件 1099

日美半导体联手想尽快突破2nm工艺 台积电将跌落神坛?

无论是在制作工艺还是经验之谈上,台积电都是美日在2nm芯片研发上不可或缺的伙伴,可是为何这两个家伙却在这次将台积电拒之门外了呢?...

2022-05-05 标签:台积电2nm 598

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