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等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案

我们华林科纳讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题(从有机硅化合物)的问题,特别注意表面条件,以及一些原位表面诊断的例子。由于等离子体介质与精密的表面分析装置不兼容,讲了...

2022-05-19 标签:等离子体蚀刻 39

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响

本文介绍了我们华林科纳研究了污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响。硅表面专门暴露在有机和金属污染中,以研究它们对碱性纹理化过程的影响,由此可见,无机污染对金字塔密度的影响不小...

2022-05-18 标签:晶片清洗刻蚀 137

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响

本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组,进行了清洗实验及室温接合, 以上工艺除热处理工艺外,通过最小化工序内部时间间隔,抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...

2022-05-16 标签:晶片硅片键合硅衬底 228

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法

本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火,获得了无空洞或微裂纹的牢固结合,基于详细的表面和键合界面表征,...

2022-05-13 标签:工艺晶片键合 485

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用

点击蓝字关注我们摘要介绍德令哈市新能源有轨电车示范线工程采用剩余电流式电气火灾探测器,就地组网方式,通过现场总线通讯远传至后台,从而实现剩余电流式电气火灾监控系统的搭建,...

2021-11-19 标签:监控系统 84

详解化学镍沉积技术的沉积过程

详解化学镍沉积技术的沉积过程

本文报道了这种化学镍的形成,包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查,研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响,以帮助详细了解活化机理,并确定它们对化学...

2022-05-13 标签:工艺晶片刻蚀 407

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响

本文介绍了我们华林科纳研究不同清洗方法(离心和透析)对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响,关于透析过程,核磁共振分析表明,经过9个清洗周期后,柠檬酸浓度与第一次...

2022-05-12 标签:纳米清洗 417

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用

我们华林科纳研究了三种化学溶液,用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液,其中n =β和...

2022-05-12 标签:光栅激光器清洗 349

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(下)

接上回的实验演示 ? 实验演示? 非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移; 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 270

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘视觉上料系统

柔性振动盘是一种适用于工业自动化生产中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盘、柔性振盘、柔性供料器等。弗莱克斯柔性振动盘有五种规格,分别是FF100-FF500,能够解决大小不一...

2021-02-20 标签:振动盘 492

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造(上)

?引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...

2022-05-11 标签:光学蚀刻蚀刻工艺光学器件 173

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

基本化学成分以Cl2为基础,外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测,以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在...

2022-05-11 标签:工艺蚀刻 200

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。 ? 泛林集团在与...

2022-05-07 标签:半导体电路仿真FinFET 5089

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层,通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层,发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构,用这种方法可以制作品质因数高得多的多孔硅微腔,...

2022-05-06 标签:超声波蚀刻蚀刻工艺 592

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性

本研究利用CFD模拟分析了半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性,并根据分析Case和晶片位置观察了设计因子变化时的速度变化。...

2022-05-06 标签:半导体特性晶片 383

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

为了阐明蚀刻残留物的形成机理,研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响,我们发现在氧的存在下,蚀刻残留物形成良好,这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化...

2022-05-06 标签:多晶硅蚀刻 295

金属蚀刻残留物对对等离子体成分和均匀性的影响

金属蚀刻残留物对对等离子体成分和均匀性的影响

本文研究了金属蚀刻残留物,尤其是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁,并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体...

2022-05-05 标签:等离子蚀刻晶片 294

温度对去除氮化物和氧化物层的影响

温度对去除氮化物和氧化物层的影响

本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率,该方法从图案化氮化硅开始,以研究在BOE工艺之...

2022-05-05 标签:工艺蚀刻氧化物 292

使用晶片处理技术在硅中产生沟槽结构

使用晶片处理技术在硅中产生沟槽结构

本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术,通过使用(110)Si的取向相关蚀刻,可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽,与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向...

2022-05-05 标签:处理技术蚀刻晶片 319

半导体工艺 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

半导体工艺 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后,仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制...

2022-04-27 标签:半导体晶片 548

多孔GaN的结构和光学特性

多孔GaN的结构和光学特性

摘要 本文报道了铂辅助化学化学蚀刻制备的多孔氮化镓的结构和光学性能。扫描电镜图像显示,孔隙的密度随着蚀刻时间的增加而增加,而蚀刻时间对孔隙的大小和形状没有显著影响。原子力...

2022-04-27 标签:光学GaN 551

半导体工艺中化学机械抛光后刷洗的理论分析

半导体工艺中化学机械抛光后刷洗的理论分析

摘要 化学机械平面化后的叶片清洗,特别是刷子擦洗,是半导体器件制造的一个关键步骤,尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒,或者是...

2022-04-27 标签:半导体晶片 478

硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率

硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率

本文研究了氢氧化钾、TMAH(C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵(四甲基铵)和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响,制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。...

2022-04-26 标签:蚀刻硅晶片 312

通过表面分析评估Cu-CMP工艺

通过表面分析评估Cu-CMP工艺

半导体装置为了达成附加值高的系统LSI,需要高集成化,高速化,这其中新的布线材料,绝缘膜是不可缺少的。其中,具有低电阻的Cu,作为布线材料受到关注。化学机械抛光(CMP)和之后的清...

2022-04-26 标签:晶圆工艺CMP 281

如何对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀

如何对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀

氮化镓作为一种宽带隙半导体,已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性...

2022-04-26 标签:发光二极管氮化镓蚀刻 178

半导体晶片键合的对准方法

半导体晶片键合的对准方法

多年来,半导体晶片键合一直是人们感兴趣的课题。使用中间有机或无机粘合材料的晶片键合与传统的晶片键合技术相比具有许多优点,例如相对较低的键合温度、没有电压或电流、与标准互补...

2022-04-26 标签:半导体晶片键合 273

利用原子力显微镜测量硅蚀刻速率

利用原子力显微镜测量硅蚀刻速率

本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物,暴露底下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾...

2022-04-22 标签:蚀刻测量显微镜 494

详解微机械中的各向异性刻蚀技术

详解微机械中的各向异性刻蚀技术

单晶硅, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体...

2022-04-22 标签:晶圆蚀刻微机械 472

长电科技子公司长电先进荣获德州仪器TI“2021年度卓越供应商奖”

长电科技子公司长电先进荣获德州仪器TI“2021年度卓越供应商奖”

近日,全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技(上交所代码:600584)子公司江阴长电先进封装有限公司(以下简称长电先进)荣获了德州仪器(TI)颁发的“2021年度卓越供应商奖”...

2022-04-20 标签:tiSiP供应商长电科技 926

国产替代给力 大族激光光刻机已小批量销售

国产替代给力 大族激光光刻机已小批量销售 台积电2nm的工艺都要在2025年投产;不知道2nm的工艺需要什么样的高端光刻机才做得出来。我们看到国产化好消息是,大族激光的光刻机已实现小批量...

2022-04-19 标签:光刻机大族激光 1464

300毫米直径硅片的快速热处理实验研究

300毫米直径硅片的快速热处理实验研究

在半导体热处理应用中,批处理在工业的早期阶段被采用,并且仍然非常流行。我们研究了直径为200毫米和300毫米的硅(100)晶片在单晶片炉中高温快速热处理过程中的热行为,该热行为是温度、...

2022-04-19 标签:半导体热处理硅晶片 241

通过臭氧微气泡进行半导体晶圆的光刻胶去除实验

通过臭氧微气泡进行半导体晶圆的光刻胶去除实验

半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的,一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是,这些废液的处理是极其困难的,与环境污染有很大的关系,因...

2022-04-19 标签:半导体晶圆光刻胶 170

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