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                  800V功率模块如何选择IGBT或SiC器件?

                  电子设计 ? 2021-05-24 16:27 ? 次阅读

                  我之前一直以为 Taycan 用的是 Delphi 的 SiC 的器件,但是根据目前日立所 AMS 披露的,包括 Taycan 里面维修手册所描述的情况来看,情况并不是这样。

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                  图 1 2020 年后的电压和功率系统

                  01、800V 下的 IGBT 模块

                  这份报告的原文为《High Voltage and High Power Density Technologies for Inverter in Vehicle》。

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                  图 2 信息的发表来源

                  这里最让人惊讶的部分,就是 Taycan 是沿用了原有的 IGBT 模块的,如下所示。日立 AMS 开发的逆变器改良了整体的绝缘设计,核心是在之前的基础上改进了并推出了适用 800V 的功率模块。新的功率模块匹配 800V 系统,达到了 94kVA/L 的功率密度。系统电压要从 400V 提高至 800V,在功率模块层面主要需要提高耐电压水平,通过优化模块的封装设计及使用的绝缘结构,避免了增加模块的尺寸。功率模块由两个功率元件串联而成,采用二合一封装,IGBT 及引线框架等元件均采用了转印模具密封,并进一步封装在铝制模块壳体中,采用双面冷却。

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                  图 3 日立的 IGBT 模块

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                  图 4 日立的双面冷却技术从 2015 年左右进入成熟期

                  绝缘处理方面,除了将绝缘体完全覆盖在施加高电压的电极上进行绝缘以外,还能通过设置绝缘距离进行绝缘,但需要同时确保空间距离与爬电距离。为了延长绝缘树脂件的爬电距离,增加筋和槽,在总线端部设置倒角形状。下图树脂绝缘部分的截面图,功率模块的铜排被绝缘树脂隔开,为了延长爬电距离,除了在垂直方向上增加树脂的高度之外,还通过在绝缘树脂与总线接触的地方开缺口来保证爬电距离。


                  图 5 功率模块的绝缘设计

                  功率模块树脂片对焊接了功率器件的引线框架和散热片进行绝缘,树脂片大量填充了负责向散热片导热的陶瓷填料,实现了薄膜化,保证了较高的散热性能。但由于绝缘片与引线框架和散热片粘合时产生的小空隙可能会导致介电强度下降,因此导体箔被层压在绝缘片的内部。功率模块使用的绝缘片内部叠有导体箔,防止局部放电。 当施加到空隙的空气层的电压高于空气的介电击穿电压时,就会发生局部放电,通过用导体箔对施加到绝缘片的电压进行分压来减小空隙的电场。利用导体箔、引线框架与散热片之间的电位差分压至上下两层绝缘片,将导体箔的电位固定为中间电位,改善绝缘片的局部放电特性。

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                  图 6 绝缘特性的设计

                  02、SiC 的使用和路径

                  在整理 11kW 交流充电机方面,这里的 H 桥电路部分,应该都是使用 SiC 器件来做的,包括保时捷自己后续采用的直流充电桩里面也采用了 SiC 模块。

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                  图 7 交流充电机的 SiC 使用

                  在《4E Power Electronic Conversion Technology Annex》一文中给出了一些 SiC 的使用路径,可能可以参考。

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                  小结:我之前一直以为 Taycan 是最早使用 SiC 全套的车型,从 Taycan 开始开发的时间到 2019 年量产,我们能看到保时捷的工程师对于驱动逆变器应用并不特别成熟的技术的犹豫,到 2022 年的 PPE 平台,会大量使用 SiC 技术。

                  编辑:hfy

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                  太阳能控制器的三阶段充电模式

                  PWM太阳能控制器采用的是强充、均衡充、浮充三阶段充电模式。强充:也叫直冲,就是迅速充电,当蓄电池电....
                  的头像 马玉杰 发表于 10-21 15:30 ? 92次 阅读
                  太阳能控制器的三阶段充电模式

                  探究大功率IGBT模块ST20在风电中的应用

                  随着碳中和成为世界各国新的共同目标,新能源快速发展成为必然,而风电在我国能源消费比重也在不断增加。赛....
                  的头像 赛米控电力电子 发表于 10-19 18:09 ? 783次 阅读

                  逆变器可以接多少块组件

                  1、逆变器汇流后,可以多点并网吗? 答:不建议逆变器汇流后再分几个并网点。首先如果某个点出现问题,那....
                  的头像 固德威光伏社区 发表于 10-19 10:30 ? 535次 阅读

                  逆变器汇流后,可以多点并网吗

                  1、逆变器汇流后,可以多点并网吗? 答:不建议逆变器汇流后再分几个并网点。首先如果某个点出现问题,那....
                  的头像 固德威光伏社区 发表于 10-19 10:24 ? 456次 阅读

                  构建物联网芯片技术 英飞凌在物联网赛道如何放大招?

                  英飞凌科技安全互联系统事业部大中华区市场与业务合作总监南铮接受电子发烧友记者的采访,集中解读了三大问....
                  的头像 章鹰 发表于 10-18 17:57 ? 3644次 阅读
                  构建物联网芯片技术 英飞凌在物联网赛道如何放大招?

                  Vishay推出模压封装高压片式电阻分压器,减少元件数量,提高TC跟踪性能

                  器件适用于汽车和工业设备,外形尺寸为4527,最高工作电压达1500 V。
                  发表于 10-18 15:49 ? 343次 阅读
                  Vishay推出模压封装高压片式电阻分压器,减少元件数量,提高TC跟踪性能

                  车载逆变器的选择技巧

                  随着汽车的普及,汽车已经成为我们生活的一部分,大家在汽车上的时间也越来越长。同时在车上能够处理的事情....
                  的头像 马玉杰 发表于 10-15 18:27 ? 69次 阅读
                  车载逆变器的选择技巧

                  光伏并网逆变器和微型逆变器的区别分析

                  光伏逆变器是光伏系统核心功率调节器件,占据系统成本比例在10-15%之间,有较高的技术含量。它将太阳....
                  的头像 马玉杰 发表于 10-15 18:27 ? 123次 阅读
                  光伏并网逆变器和微型逆变器的区别分析

                  DEKRA德凯积极推动光伏一站式解决方案

                  作为德国最大、全球排名前四的检验检测认证机构,DEKRA德凯在光伏领域一直积极推动光伏一站式解决方案....
                  的头像 DEKRA德凯 发表于 10-15 15:09 ? 1199次 阅读

                  工艺+器件仿真助力SiCTrench MOSFET模型的开发

                  SiC?基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动....
                  发表于 10-15 14:29 ? 2次 阅读
                  工艺+器件仿真助力SiCTrench MOSFET模型的开发

                  季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位

                  季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位,主要应用在MOS,SiC,IGBT等高压产品的失效....
                  的头像 上海季丰电子 发表于 10-15 11:50 ? 627次 阅读
                  季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位

                  NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

                  N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 08:02 ? 284次 阅读

                  NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

                  120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 07:02 ? 181次 阅读

                  NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

                  B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 07:02 ? 168次 阅读

                  NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

                  T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 07:02 ? 116次 阅读

                  FSBB15CH120DF 运动SPM

                  CH120DF是一款先进的Motion SPM ? 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 07:02 ? 266次 阅读

                  FSBB15CH120D 运动SPM

                  CH120D是一款先进的MotionSPM?3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 07:02 ? 226次 阅读

                  NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

                  120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 05:02 ? 173次 阅读

                  FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

                  一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
                  发表于 07-31 04:02 ? 224次 阅读

                  NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

                  65L4BT是一款PFCSPM?2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 04:02 ? 182次 阅读

                  NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

                  60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 04:02 ? 133次 阅读

                  NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

                  60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 03:02 ? 158次 阅读

                  NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

                  4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 01:02 ? 339次 阅读
                  NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

                  NCP51530 高频700 V- 2 A高端和低端驱动器

                  30是一款700 V高侧和低侧驱动器,具有高驱动能力,适用于AC-DC电源和逆变器。 NCP51530在高工作频率下提供同类最佳的传播延迟,低静态电流和低开关电流。因此,该器件可为高频工作的电源提供高效设计。 NCP51530采用SOIC8和DFN10封装。 特性 优势 高压范围:高达700 V AC / DC设计的设计余量 传播延迟非常快(B版本为25 ns) ) 适合高频操作 匹配传播延迟(最大7 ns) 提高效率&安培;允许并联 高达50 V / ns的高dv / dt抗扰度和负瞬态抗扰度 非常稳健的设计 DFN10封装,具有优化的引脚输出 小PCB占位面积,改善的爬电距离和寄生 快速上升和下降时间(最长15 ns) 适合重载 应用 终端产品 半满和满-bridge Converters 有源钳位反激式适配器 电机控制电源 服务器,电信和工业用电源 电动助力转向 太阳能逆变器 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 01:02 ? 2250次 阅读

                  NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

                  1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 01:02 ? 201次 阅读
                  NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

                  MC33153 单IGBT驱动器

                  3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 01:02 ? 1265次 阅读
                  MC33153 单IGBT驱动器

                  NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

                  6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 00:02 ? 637次 阅读
                  NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

                  FL73282 半桥栅极驱动器

                  2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-31 00:02 ? 692次 阅读

                  NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

                  3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-30 22:02 ? 227次 阅读

                  NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

                  2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 07-30 22:02 ? 194次 阅读

                  LV52117QA 用于LCD面板的双输出DC-DC转换器

                  7是一款高电流双输出DC-DC转换器,可产生正电压和负电压。 LV52117特别适用于LCD显示器等电源应用。 特性 集成1.5MHz同步升压和逆变器转换器 2.75V至4.6V输入电压范围 4.6V至5.8V可调正输出(VDCO1) -5.8V至-4.6V可调负输出(VDCO2) 输出电流高达100mA 脉冲跳跃模式低负载条件 过流/短路保护 终端产品 液晶面板 电路图、引脚图和封装图
                  发表于 07-30 00:02 ? 329次 阅读
                  欧美美女的白虎