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                  福建物构所单晶异质结偏振光探测研究获进展

                  MEMS ? 2021-04-25 10:54 ? 次阅读

                  偏振光电探测在近场成像、遥感、光学开关、高分辨探测和通信等领域具有广阔的应用前景。近年来,二维有机无机杂化钙钛矿材料因其独特的结构各向异性和优异的半导体性能,在偏振光电探测方面展现出潜力。然而,受其光学各项异性的限制,在二维有机无机杂化钙钛矿材料中实现高偏振特性的光探测仍具有挑战性。

                  中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”研究员罗军华团队通过发展一种“异质结构筑”策略,设计并生长出一类新型的二维/三维杂化钙钛矿异质结晶体(4-AMP)(MA)2Pb3Br10/MAPbBr3(MA=甲胺;4-AMP=4-氨甲基哌啶),并首次将该材料体系应用于偏振光电探测的研究。研究发现,由于(4-AMP)(MA)2Pb3Br10与MAPbBr3两相间的电荷转移,在异质结晶体界面处产生了强内建电场。在此内建电场的驱动下,该异质结晶体表现出高效偏振光电探测性能,其偏振比高达~17。此偏振比超过了依赖结构各项异性的二维纯相无机有机杂化钙钛矿材料(~2)。异质结的内建电场可抑制载流子的复合,为载流子分离/传输提供了有效的驱动力,是获得高偏振灵敏度的主要原因。此外,该单晶异质结偏振光电探测器还具有大的光暗电流开关比(~10?)和高探测率(~101?)。

                  2D/3D杂化半导体异质结实现高偏振比光探测

                  上述结果说明,该“异质结构筑”策略取得了1+1>2的效果,为设计高偏振特性的光电探测材料开辟了新途径,同时进一步拓展了无机有机杂化铁电材料在智能光电器件中的应用。相关研究成果发表在《国家科学评论》(Natl. Sci. Rev. 2021)上,中国科学院大学博士研究生张馨元为论文第一作者。研究工作获得国家自然科学基金重点项目、国家杰出青年基金、中科院基础前沿0-1原始创新项目和中科院战略性先导科技专项等的资助。

                  责任编辑:lq

                  原文标题:福建物构所单晶异质结偏振光探测研究获进展

                  文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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                  发表于 09-08 10:24 ? 82次 阅读

                  简述冷型探测器技术之间的对比

                  电子发烧友网报道(文/李宁远)上一期介绍红外探测芯片文章中,已经介绍了在非制冷红外焦平面探测器芯片上....
                  的头像 电子发烧友网 发表于 09-06 11:07 ? 917次 阅读

                  Qorvo在内多家公司的运动部件引导毅力号探测车在火星着陆

                  包括 Qorvo 在内多家公司的运动部件引导毅力号探测车在火星着陆。这篇博客文章详细介绍了宇宙飞船令....
                  的头像 Qorvo半导体 发表于 09-05 10:13 ? 529次 阅读

                  制冷型探测器技术对比

                  上一期介绍红外探测芯片文章中,已经介绍了在非制冷红外焦平面探测器芯片上,目前国内红外探测器芯片龙头已....
                  的头像 时光流逝最终成了回忆 发表于 09-05 07:44 ? 1477次 阅读
                  制冷型探测器技术对比

                  位移电流与传导电流两者之间有什么区别

                  传导电流:由带电粒子的定向移动造成。 位移电流:不是真正的电流,是虚拟电流。 位移电流与传导电流两者....
                  的头像 汽车玩家 发表于 09-03 17:39 ? 1225次 阅读

                  2021年高压电工考试内容及高压电工复审模拟考试相关资料分享

                  题库来源:安全生产模拟考试一点通公众号小程序高压电工考试内容是安全生产模拟考试一点通生成的,高压电工证模拟考试题库是根据...
                  发表于 09-02 07:33 ? 0次 阅读

                  MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

                  MUX36S16和MUX36D08(MUX36xxx)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX36S16提供16:1单端通道,而MUX36D08提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX36S16和MUX36D08在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX36S16和MUX36D08的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于便携式应用。 特性 低导通电容 MUX36S16:13.5pF MUX36D08:8.7pF 低泄漏电流:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:85ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:4...
                  发表于 09-03 11:27 ? 205次 阅读
                  MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

                  MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器

                  MUX506和MUX507(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).MUX506提供16:1单端通道,而MUX507提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX506和MUX507在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX507和MUX507的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于功耗敏感型应用。 特性 低导通电容 MUX506:13.5pF MUX507:8.7pF 低输入泄漏:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:97ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:20...
                  发表于 09-03 11:24 ? 630次 阅读
                  MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器
                  欧美美女的白虎