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Microchip推出可信平台设计套件增强版

MicrochipTechnology ? 来源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2021-05-14 10:21 ? 次阅读

2019年,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)发布了用于CryptoAuthentication系列的Trust Platform(可信平台),这是业界首个基于硬件的安全元件预配置解决方案,旨在帮助各种规模的企业以简便方式实现安全认证。Microchip宣布推出可信平台设计套件(TPDS)的最新增强版,进一步丰富产品阵容。TPDS是一款专门用于设备配置和加入Microchip嵌入式安全预配置服务的软件平台。

TPDS第2版(v2)软件使Microchip合作伙伴能够将用例添加到丰富的安全解决方案入网(onboarding)生态系统,进一步扩大了开发者在部署一流安全方面业已非常广泛的选择。TPDS第2版现在还支持其他安全解决方案,如首款用于汽车市场的加密配套设备TA100。

简化开发

一个有经验的固件工程师可能需要几个月的时间来确定一个应用的威胁模型,以及开发一个包括安全认证、安全启动、IP保护等所有必要措施的安全用例。其中涉及的两个主要挑战在于配置设备的安全边界和预配置密钥,包括私钥以及对称密钥和其他形式的密钥数据。

TPDS软件通过提供预先定义的用例来解决最常见的市场要求,从而简化了开发过程。它可与三个可信平台流程中的两个一起使用——Trust&GO和TrustFLEX。这些方案使新的安全项目能够在几分钟内通过TPDS v2建立原型,同时根据客户的部署规模、用例要求和所需要的定制程度提供选择:

Trust&GO——设备是预先定义和预先配置的现货,用于基于TLS和LoRaWAN网络的安全云认证,最小可订购量(MOQ)仅为10台起订。

TrustFLEX——客户可通过默认的通用证书或专用证书(自定义PKI)来使用此方案的预配置设备,同时支持比Trust&GO方案更广泛的预定义使用案例。

为了满足最苛刻的使用情况,Microchip的TrustCUSTOM系列让客户可以自由地完全定义安全认证配置和完全定制安全密钥存储。

借助完全集成的配置入网流程,TPDS v2软件允许客户选择安全解决方案,验证用例,制作原型,然后开始安全预配置过程,所有这些都只需几个简单步骤。

Microchip安全产品业务部副总裁Nuri Dagdeviren表示:“我们的TPDS v2软件通过将安全最佳实践融入直观和简化的流程,使开发人员能够轻松遵守现有标准和即将出台的嵌入式系统安全法规。我们将继续通过可靠的硬件和安全解决方案,帮助客户加快产品上市并赢得长期业务。TPDS还将支持Microchip安全解决方案在安全元件之外的入网和预配置服务。”

第三方集成

TPDS v2的最大优势之一是,它使第三方合作伙伴能够添加自有用例,丰富了客户对安全元件入网和安全功能的选择。Microchip合作伙伴之一EBV Elektronik(安富利集团)使TPDS v2用户能够通过ATECC608B TrustFlex配置,使用EBV-IoT“安全盾牌”评估工具包快速、安全地连接到安富利IoTConnect云。欲了解更多信息请访问https://iotconnect.io/ebv/ebv-mchp-secure-solution.html。

EBV Elektronik技术开发副总裁Antonio Fernandez表示:“我们与Microchip有着紧密的合作关系,非常高兴能够成为可信平台设计套件v2计划的一部分,使所有客户在芯片和云端都能获得可扩展的安全性。采用最佳实践是实现我们为所有客户提供最佳安全平台共同目标的重要一步。我们相信,TPDS的增强功能提供了最简单、最经济的方式,让我们得以继续位于行业前列,助力客户部署一流的解决方案。”

TPDS v2软件工作原理

可信平台设计套件V2使用户能够:

通过培训视频和适用于各类用例的交互式应用笔记,实现安全入网;

根据选定用例开发应用程序,最终确定安全解决方案的配置,执行秘密密钥交换;

采购验证样本并开始生产。

开发工具

可信平台设计套件支持Windows和macOS环境。TA100配置器仅适用于Windows平台。

原文标题:Microchip发布可信平台设计套件(TPDS)加速嵌入式安全部署,向第三方开放生态系统

文章出处:【微信公众号:Microchip微芯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

原文标题:Microchip发布可信平台设计套件(TPDS)加速嵌入式安全部署,向第三方开放生态系统

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    发表于 04-18 20:04 ? 194次 阅读

    TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:04 ? 120次 阅读

    TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:04 ? 133次 阅读

    TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 139次 阅读

    TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 200次 阅读

    TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 201次 阅读

    TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 168次 阅读

    TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 182次 阅读

    TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 145次 阅读

    TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 160次 阅读

    TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 179次 阅读

    TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 413次 阅读

    TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

    信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 591次 阅读

    TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

    信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 301次 阅读

    TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

    信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 331次 阅读

    TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

    信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 338次 阅读
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