侵权投诉

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

为何在新一代双向OBC设计中选择SiC而非Si ?

wc_ysj ? 来源:旺材芯片 ? 作者:旺材芯片 ? 2021-06-17 18:20 ? 次阅读

硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用。

这种宽禁带 (WBG) 半导体器件不仅能够提供比其 Si 同类器件大得多的功率密度,还能提供更好的导热性及更高的功率转换效率。而这些特性对于要求高度节能和快速充电的电池相关应用而言,都是特别重要的。

本文介绍了车载充电机 (OBC) 系统的设计思路,以及 SiC 在 OBC 应用中相比 Si 的优势,且重点关注双向充电机。Si 基和 SiC 基 OBC 的参考设计比较,详细地说明了在 OBC 应用中 SiC 相比 Si 的实际优势,同时还进行了成本节约分析,并介绍了其为系统带来的具体好处。

为什么选择 SiC?

SiC 已经渗透到众多电力电子应用领域,包括电源、太阳能逆变器、其他可再生能源的功率转换以及工业电机驱动的逆变器等。结合其在临界电场 (2.2 × 10^6 V/cm)、电子速度、熔点 (300°C) 和热导率 (4.9 W/cmK) 等方面独特的优势,SiC 适用于从低功率器件到大功率系统的多种应用。

晶体管级别,采用 SiC 可以带来低导通电阻 (R(DS)on),减少导通损耗,进而可用于高电流应用。与 Si 基 IGBT 相比,SiC 器件电容更低,高开关频率下的开关损耗更少,且滤波器和被动元件的尺寸更小,同时整体热管理系统也更为简单。

Wolfspeed 专长 SiC 系统的设计和开发,覆盖从基础晶圆开发到采用 SiC 器件的设计和支持。表 1 详细说明了 SiC 的优点,以及 Wolfspeed 在 SiC 领域的专长能够带来的综合优势。

表1

d5f0c794-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.jpg

这样做的好处包括,简化充电过程,并使这项技术更易被习惯原有内燃机车的消费者所接受(通过降低里程焦虑的负面影响)。

基于这些原因,充电时间和充电后的有效车辆续航里程成为车辆制造商的关键参数,而这两个因素由电池尺寸和额定充电功率所决定。充电功率范围从 3.3 kW 和 6.6 kW 的低功率单相系统到 11 kW 和 22 kW 的大功率系统。图 1 展示了 3.3 kW、6.6 kW、11 kW 和 22 kW OBC 相关的典型车型、电池尺寸、从 0% 至 100% 的充电时间以及竞争性技术。

d626b91c-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.png

图 1. OBC 相关的车型、电池尺寸、从 0% 至 100% 的充电时间和竞争性技术的比较

车型涵盖从通勤汽车 BEV 到类似电动卡车等更大型且更高性能的 BEV。如图所示,即使充电功率高 3 倍多,更大容量的车辆从 0% 到 100% 的充电时间仍更长。这使得 OBC 尤其适合大功率系统,也就是说,可以使得损耗的功率更少,充电速度也更快。

除了 OBC 效率之外,成本、重量和尺寸等参数也非常关键,这可为空间余量有限的车辆更轻松地安装更小型、更轻量的 OBC。此外,消费者和 OEM 承担的 OBC 成本将直接影响制造商的资本支出/最终赢利,以及消费者购买的意愿。为了保持竞争力,OBC 必须帮助电动汽车达到内燃机车辆的价格点。

22kW 双向 OBC 设计:Si 与 SiC 设计样本对比双向功率流的好处

正如我们先前在单向 OBC 设计方案 (LINK) 中所述,由于可以忽略二极管的损耗,双向充电机在先天上就可以实现比单向设计更高的效率。单向DC/DC模块采用 Vienna PFC 二极管,而单向 LLC 谐振转换器可通过二极管桥完成输出整流。

图 2 展示的是单相双向 OBC 的典型框架 — 全桥整流器被低损耗 SiC MOSFET 所取代,从而消除整流二极管正向压降造成的损耗。这反过来可以降低功耗,从而简化热管理要求。

d6c2c424-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.png

图 2. SiC 基双向 OBC

亚太地区正在引领电动汽车的双向充电发展,同时全球总体趋势也是在朝着采用双向 OBC 迈进。凭借更高的系统效率,以及用于 V2-其他应用的潜力,包括车辆对家宅 (V2H, vehicle-to-home) 供电、车网互联 (V2G, vehicle-to-grid) 的机会,以及车辆对车辆 (V2V, vehicle-to-vehicle) 充电使用案例(例如应急启动另一辆电动汽车)。

22 kW 双向 OBC:Si vs. SiC

如前面图 1 所示,采用 Si 超结技术的 Si 基双向 OBC 与 Si 基 IGBT 是 SiC 双向 OBC 的主要竞争技术。但是,本段内容将说明 SiC 如何在所有相关方面(成本、尺寸、重量、功率密度、效率)超越这些技术。让我们从图 3 开始,这是 Si 基和 SiC 基 22 kW 双向 OBC 的参考示意图,比较了功率器件和栅极驱动的数量。

d6fae3e0-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.png

图 3. (a) Si 基和 (b) SiC 基 22 kW 双向 OBC 示意图

表 2 列出了(第一个)AC/DC 图腾柱 PFC 级和(第二个) DC/DC 双向 CLLC 谐振级的各自规格。从图表中可以明显看出,从 Si 设计转到 SiC 设计,功率器件和栅极驱动的数量都减少 30% 以上,开关频率提高一倍以上。这降低了功率转换系统的组件尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。

表 2. 22kW 双向 OBC: Si vs SiC

d70f6ee6-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.jpg

图 4 进一步细分成本节约,将其分为 Si 和 SiC 系统的成本。Si 系统比 SiC 系统高出近 20% — 这主要是由于 DC/DC 模块中有相对大量的栅极驱动和磁性元件。尽管相比单个 Si 基二极管和功率晶体管,分立式 SiC 基功率器件的成本更高。但在系统中采用时,SiC 器件的性能可减少所需元件的数量,从而降低电路元件成本以满足支持各种功率器件功能的要求。

d7422f98-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.png

图 4. 采用 SiC 与 Si 的 22kW 双向 OBC 系统成本明细比较

除了成本节约之外,SiC 系统在 3 kW/L 的功率密度下可实现 97% 的峰值系统效率,而 Si OBC 仅可在 2 kW/L 的功率密度下实现 95% 的效率。这一系统效率的提升可为消费者带来每年平均 40 美元的能源节约。

表 3 对比了 6.6 kW 和 22 kW 双向 OBC 的 Si 和 SiC 方案的成本、功率密度、运行节约和CO2 减排。OBC 的功率越高,所带来的节约也就越多。6.6 kW 和 22 kW 双向 SiC 基 OBC 的物料清单 BOM 成本更低,最终可为 OEM 厂商带来系统成本的降低。

再加上运行节约以及由 SiC 所推动的 CO2 减排,转嫁到消费者身上的成本也将减少,进而缩小了与内燃机解决方案的价格差距,并为CO2 减排做出贡献。

表 3. SiC 系统优势

d7596e10-cf52-11eb-9e57-12bb97331649.jpg

关于英文原稿,敬请点击访问:

https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/why-choose-sic-over-si-for-your-next-bidirectional-on-board-charger-design

编辑:jq

原文标题:CREE | 为什么在新一代双向OBC设计中选择SiC而非Si ?

文章出处:【微信号:wc_ysj,微信公众号:旺材芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工....
    的头像 assel 发表于 01-26 10:16 ? 7次 阅读
    6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工....
    的头像 assel 发表于 01-25 09:23 ? 10次 阅读
    6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    烽火ZX7-IGBT图纸下载

    烽火ZX7-IGBT图纸下载
    发表于 01-24 16:22 ? 16次 阅读

    6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅....
    的头像 assel 发表于 01-24 14:11 ? 14次 阅读
    6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    晶体管的3、2、1纳米制程中谁将胜出,有何发展趋势

    来源:旺材芯片 随着5G、人工智能、元宇宙等新兴科技产业快速崛起,发展低功耗、小尺寸、异质整合及超高....
    发表于 01-24 12:07 ? 5次 阅读
    晶体管的3、2、1纳米制程中谁将胜出,有何发展趋势

    6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件....
    的头像 assel 发表于 01-24 10:25 ? 8次 阅读
    6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技....
    的头像 assel 发表于 01-24 10:23 ? 11次 阅读
    6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    N沟道增强型场效应晶体管JHW10N60数据手册

    N沟道增强型场效应晶体管JHW10N60数据手册
    发表于 01-23 10:53 ? 81次 阅读

    N沟道增强型场效应晶体管LT10N02SI资料说明

    N沟道增强型场效应晶体管LT10N02SI资料说明
    发表于 01-23 10:25 ? 12次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6312规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6312规格书.pdf
    发表于 01-23 09:56 ? 14次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6306规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6306规格书.pdf
    发表于 01-23 09:55 ? 10次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6302规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6302规格书.pdf
    发表于 01-23 09:54 ? 9次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6301规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6301规格书.pdf
    发表于 01-23 09:53 ? 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6301规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6301规格书.pdf
    发表于 01-23 09:52 ? 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6300规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6300规格书.pdf
    发表于 01-23 09:52 ? 9次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6299规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6299规格书.pdf
    发表于 01-23 09:50 ? 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管规格书.pdf
    发表于 01-23 09:48 ? 7次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6297规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6297规格书.pdf
    发表于 01-23 09:47 ? 11次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6296规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6296规格书.pdf
    发表于 01-23 09:47 ? 11次 阅读

    第九届CHIP China晶芯在线研讨会精彩回顾

    摩尔定律提出至今近60年,平面工艺集成电路,伴随光刻精度的不断提升,晶体管尺寸的微缩逐渐接近硅原子的....
    发表于 01-23 09:45 ? 26次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6295规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6295规格书.pdf
    发表于 01-23 09:44 ? 7次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6294规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6294规格书.pdf
    发表于 01-23 09:43 ? 7次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6292规格书.pdf

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6292规格书.pdf
    发表于 01-23 09:41 ? 24次 阅读

    6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.7迁移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理—....
    的头像 assel 发表于 01-21 09:39 ? 16次 阅读
    6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《....
    的头像 assel 发表于 01-21 09:39 ? 11次 阅读
    6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    选用LDO需要注意哪些问题

    LDO就是一个运算放大器加一个晶体管。运算放大器使用两个参考点 — 一个是内部带隙基准,另一个是输出端的电阻分压电路。在稳...
    发表于 01-20 07:46 ? 0次 阅读

    新能源汽车打开IGBT新增量,国产厂商能否挑起大梁

    电子发烧友网报道(文/程文智)据Yole统计,2020年时,IGBT的市场规模为54亿美元,随着主要....
    的头像 电子发烧友网 发表于 01-19 15:53 ? 378次 阅读

    IGBT总览:为什么称之为电力电子行业的“CPU”

    来源:旺材芯片? 01、功率半导体电子装置电能转换与电路控制的核心? 功率半导体是电子装置电能转换与....
    发表于 01-19 15:16 ? 131次 阅读
    IGBT总览:为什么称之为电力电子行业的“CPU”

    如何制作一种家用非接触式测电笔

    测电笔是每个住户必备的电工工具,但必须接触裸线才能测得结果。这无疑增加了安全风险,不适合非专业人员操....
    发表于 01-19 11:25 ? 51次 阅读
    如何制作一种家用非接触式测电笔

    6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.5界面的不稳定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界....
    的头像 assel 发表于 01-19 11:09 ? 12次 阅读
    6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性....
    的头像 assel 发表于 01-18 09:39 ? 18次 阅读
    6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性....
    的头像 assel 发表于 01-17 09:28 ? 13次 阅读
    6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    车规级IGBT延续高景气度,国内品牌2023年前难挑大梁

    据Yole统计,2020年时,IGBT的市场规模为54亿美元,随着主要电动交通的IGBT用量快速增长....
    的头像 荷叶塘 发表于 01-17 08:00 ? 1115次 阅读
    车规级IGBT延续高景气度,国内品牌2023年前难挑大梁

    紫外辅助清洗对非晶氧化物半导体薄膜晶体管稳定性的影响

    薄膜晶体管TFTs采用氧化锌等非晶氧化物半导体,如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-In....
    发表于 01-14 13:54 ? 14次 阅读
    紫外辅助清洗对非晶氧化物半导体薄膜晶体管稳定性的影响

    如何去实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的电磁兼容设计呢

    绝缘栅双极晶体管(IGBT)有哪些应用呢? 如何去实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的电磁兼容设计呢?...
    发表于 01-14 07:02 ? 101次 阅读

    6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特....
    的头像 assel 发表于 01-13 11:21 ? 17次 阅读
    6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    晶体管的常见种类及主要分类

    晶体管由电流驱动的半导体器件,用于控制电流的流动,用于放大弱信号,用作振荡器或开关,具有检波、整流、....
    的头像 我快闭嘴 发表于 01-12 12:07 ? 459次 阅读

    6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.4.7电导法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器....
    的头像 assel 发表于 01-12 10:55 ? 13次 阅读
    6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    场效应管与双极型晶体管的特点是什么

    场效应管是场效应晶体管的简称,由于只能靠半导体中的多数载流子导电,因此又被称为单极型晶体管。具有输入....
    发表于 01-12 10:44 ? 36次 阅读

    6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.5.1界面态分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特....
    的头像 assel 发表于 01-12 10:02 ? 24次 阅读
    6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    晶体管式镍片电池点焊机的优势是什么

    晶体管式电池镍片点焊机是近年来研发的一款高频点焊机,因其优越的稳定性和高精度,广泛应用在各个精密焊接....
    发表于 01-11 17:59 ? 43次 阅读

    6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅....
    的头像 assel 发表于 01-11 17:32 ? 12次 阅读
    6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

    引言 人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数,可....
    发表于 01-10 15:28 ? 264次 阅读
    碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

    6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳....
    的头像 assel 发表于 01-10 14:05 ? 15次 阅读
    6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    环旭电子预计在2022量产电动车用逆变器使用的IGBT与SiC电源模块

    搭配电动车市场的快速成长,近年环旭电子(上海证券交易所股票代码: 601231)开始布局切入功率半导....
    发表于 01-10 10:50 ? 299次 阅读

    6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.4.5高低频方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化....
    的头像 assel 发表于 01-10 09:49 ? 15次 阅读
    6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6290规格书下载

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6290规格书下载
    发表于 01-10 09:25 ? 23次 阅读

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6288规格书下载

    SPTECH硅NPN功率晶体管2N6288规格书下载
    发表于 01-10 09:23 ? 19次 阅读

    上扬软件MES项目获西安卫光高度认可

    继北京唯捷创芯颁发奖状之后,上扬软件再次收到客户褒奖,这次的客户是西安卫光科技有限公司。西安卫光对我....
    的头像 上扬软件 发表于 01-07 15:22 ? 359次 阅读

    6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化....
    的头像 assel 发表于 01-07 13:42 ? 18次 阅读
    6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    乘着新能源的东风,国产IGBT由“民用”向“车用”不断渗透

    电子发烧友网报道(文/李诚)汽车电气时代的到来,让车载半导体的占比也发生了变化。在电动汽车应用中功率....
    的头像 海明观察 发表于 01-07 09:30 ? 856次 阅读
    乘着新能源的东风,国产IGBT由“民用”向“车用”不断渗透

    深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构

    在本篇文章中,我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。降压转换器图1是非同步降压转换器的原理图。降压转换器将...
    发表于 12-31 07:03 ? 0次 阅读

    基本的恒流源电路主要是由哪些部分组成的

    电基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成,输入级提供参考电流,输出级输出需要的恒定电流。恒流源电路就是要能够提供一个...
    发表于 12-30 07:46 ? 0次 阅读

    一种开关过程优化的高压[回映分享]

    本文由回映电子整理分享,欢迎工程老狮们参与学习与评论 回映电子是一家基于Edge-AI技术的个护健康服务商,为企业客户提...
    发表于 12-28 10:17 ? 6262次 阅读
    一种开关过程优化的高压[回映分享]

    3V降压1.2V电源芯片相关资料分享

    3.3V降压1.2V电源芯片,3V降压1.2V电源芯片,输出电流1A,2A,3A和以下电流的降压芯片表格。3.3V和3V跟1.2V都是低压,两个...
    发表于 12-27 06:05 ? 0次 阅读

    晶体管电路设计超详细版(上部)

    号外!号外!原价972元的正版原装"张飞实战电子硬件电路设计1-13部视频教程",现在只要1.99元!添加客服即可直接购买! ...
    发表于 12-11 16:30 ? 521次 阅读
    晶体管电路设计超详细版(上部)

    最小系统能够运行起来的必要条件

    一.填空题1.最小系统能够运行起来的必要条件:单片机的最小系统包含:电源电路、晶振电路、复位电路。单片机最小系统供电正常。提...
    发表于 11-25 08:53 ? 101次 阅读

    51单片机晶体管显示学号变化

    51单片机晶体管显示学号变化学号使用 202107051234 作为演示流水显示效果重新一轮代码如下下面展示一些 流水显示的代码。#includ...
    发表于 11-18 08:15 ? 0次 阅读

    ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件

    venSense ICM-20649 6轴MEMS MotionTracking?器件通过提供撞击前、撞击期间和撞击后的连续运动传感器数据,对接触类运动应用进行精确的分析。这样即可为足球、篮球、高尔夫、网球等运动提供更加精确的反馈。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引脚QFN封装,可针对陀螺仪实现±4000dps的扩展满量程范围 (FSR),针对加速度计实现±30g的扩展满量程范围。其他主要特性包括片上16位ADC、运行时校准固件、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。通过高达100kHz(标准模式)或高达400kHz(快速模式)的IC,或者高达7MHz的SPI,可与该器件进行通信。 特性 3轴陀螺仪,可编程FSR为±500dps、±100dps、±2000dps和±4000dps 3轴加速度计,可编程FSR为±4g、±8g、±16g和±30g 启用...
    发表于 11-12 09:07 ? 489次 阅读

    MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器

    Integrated MAX20030和MAX20031汽车降压控制器是2.2MHz双路同步降压控制器,集成了预升压控制器和低I LDO。该预升压控制器支持V和V在冷启动操作期间保持稳压,直至电池输入低至2V。MAX20030和MAX20031设有两个高压同步降压控制器,可在180°异相下工作。这些器件的输入 电压为3.5V至42.0V,可通过97%占空比在低压差条件下运行。这些降压控制器非常适合用于可在宽输入电压范围(如汽车冷启动或发动机停止启动条件)内工作,具有中高功率要求的应用。 MAX20030和MAX20031降压控制器的工作频率高达2.2MHz,支持使用小型外部元件,减少输出纹波,并消除AM频段干扰。开关频率可通过电阻器在220kHz至2200kHz范围内฀...
    发表于 11-10 11:07 ? 236次 阅读

    MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案

    Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案是一款4通道电源管理IC。MAX16926设计用于安装现代汽车TFT显示器中使用的主电源轨。MAX16926和MAX20069 TFT电源和LED背光驱动器可以为汽车显示器电源要求提供双芯片解决方案。 特性 高度集成 集成式看门狗定时器 高度可靠、低EMI 应用 信息娱乐系统显示屏 中央信息显示屏 仪表盘...
    发表于 11-10 09:07 ? 185次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 ? 153次 阅读

    MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC

    Integrated MAX20766智能从设备IC设计用于用于搭配Maxim第七代控制器使用,实现高密度多相稳压器。多达六个智能从设备集成电路加一个控制器集成电路,组成紧凑的同步降压转换器,它可以通过SMBus/PMBus?实现精确的单独相电流和温度报告。 Maxim MAX20766智能从设备IC为过热、VX短路和所有电源UVLO故障提供多种保护电路。如果检测到故障,则该器件立即关断,并向控制器IC发送信号。 MAX20766采用16引脚FCQFN封装(具有裸露的顶部散热焊盘)。顶部散热改善...
    发表于 11-09 09:07 ? 194次 阅读

    ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风

    venSense ICS-40730低噪声麦克风是一款差分模拟输出、底部端口式微机电系统 (MEMS) 麦克风。ICS-40730集成有MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。该款低噪声麦克风具有高达74dBA的SNR、-32dBV差分灵敏度、-38dBV单端灵敏度、124dB SPL声学过载点以及±2dB灵敏度容差。典型应用包括智能家居设备、智能手机、电话会议系统、安防、监控、麦克风阵列、语音控制和激活。 特性 74dBA超高SNR 灵敏度: -32dBV差分灵敏度 -38dBV单端灵敏度 ±2dB灵敏度容差 非反相信号输出 25Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频性能 285µA电流消耗 124dB SPL...
    发表于 11-09 09:07 ? 339次 阅读

    MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器

    Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器可在器件的电缆侧(RS-485/RS-422驱动器/接收器侧)和UART侧之间提供3.5kVRMS数字电流隔离。当两个端口之间存在较大的接地电位差时,隔离通过中断接地环路来改善通信,并降低噪声。这些器件允许高达0.5Mbps或16Mbps的稳健通信。 MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器具有Maxim专有的AutoDirection控制功能,因此非常适合用于隔离式RS-485端口等应用,其中驱动器输入与驱动器使能信号搭配使用以驱动差分总线。 MAX22025、MAX22027、MAX22025F和MAX22027F具有较低压&#...
    发表于 11-09 09:07 ? 280次 阅读

    ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风

    venSense ICS-40212模拟麦克风是一款微机电系统 (MEMS) 麦克风,具有极高动态范围和低功耗常开模式。该麦克风包含MEMS麦克风元件、阻抗转换器和输出放大器。ICS-40212在电源电压低于2V且工作电流为55μA时,采用低功耗工作模式。 ICS-40212麦克风具有128dB声压级 (SPL) 声学过载点(高性能模式下)、±1dB的严密灵敏度容差以及35Hz至20kHz扩展频率响应。该麦克风采用底部端口表面贴装封装,尺寸为3.5mm x 2.65mm x 0.98mm。典型应用包括智能手机、照相机和摄像机...
    发表于 11-09 09:07 ? 619次 阅读

    ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风

    venSense ICS-40638高声学过载点 (AOP) 模拟MEMS麦克风(带差分输出)具有极高的动态范围,工作温度高达105°C。ICS-40638包括一个MEMS麦克风元件、一个阻抗转换器和一个差分输出放大器。该麦克风具有138dB声压级 (SPL) 声学过载点、±1dB小灵敏度容差以及对辐射和传导射频干扰的增强抗扰度。该系列具有35Hz至20kHz扩展频率响应,采用紧凑型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面贴装封装。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模拟MEMS麦克风应用包括汽车、相机和摄像机以及物联网 (IoT) 设备。 特性 差分非反向模拟输出 灵敏度:-43dBV(差分) 灵敏度容差:±1dB 35Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频抗扰度 PSRR:−81dB 3.50...
    发表于 11-06 09:07 ? 376次 阅读

    DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板

    venSense DK-42688-P评估板是用于ICM-42688-P高性能6轴运动传感器的全面开发平台。该评估板设有用于编程和调试的板载嵌入式调试器和用于主机接口的USB连接器,可支持软件调试和传感器数据记录。DK-42688-P平台设计采用Microchip G55 MCU,可用于快速评估和开发基于ICM-42688-P的解决方案。TDK InvenSense DK-42688-P评估板配有必要的软件,包括基于GUI的开发工具InvenSense Motion Link,以及用于ICM-42688-P的嵌入式运动驱动器。 特性 用于ICM-42688-P 6轴运动传感器 带512KB闪存的Microchip G55 MCU 用于编程和调试的板载嵌入式调试器 用于主机接口的USB连接器 通过USB连接的电路板电源 ...
    发表于 11-06 09:07 ? 276次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm? 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 ? 288次 阅读

    ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风

    venSense ICS‐52000是一款低噪声数字TDM输出底部端口麦克风,采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面贴装封装。 ?该器件由MEMS传感器、信号调理、模数转换器、抽取和抗混叠滤波器、电源管理以及行业标准的24位TDM接口组成。 借助TDM接口,包括多达16个ICS‐52000麦克风的阵列可直接连接诸如DSP和微控制器等数字处理器,无需在系统中采用音频编解码器。 阵列中的所有麦克风都同步对其声信号进行采样,从而实现精确的阵列处理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和宽带频率响应。 灵敏度容差为±1dB,可实现无需进行系统校准的高性能麦克风阵列。 ICS-52000具有两种电源状态:正常运行和待机模式。 该麦克风具有软取消静音功能,可防止上电时发出声音。 从ICS-52000开始输出数据时开始,音量将在256WS时钟周期内上升到满量程输出电平。 采样率为48kHz,该取消静音序列大约需要5.3ms。 The ICS‐52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is ±1dB enabling high‐performance micropho...
    发表于 11-05 17:07 ? 181次 阅读

    IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪

    venSense IAM-20380高性能陀螺仪具有0.5VDD至4V电压范围、400kHz时钟频率以及-40°C至+85°C工作温度范围。IAM-20380具有3轴集成,因此制造商无需对分立器件进行昂贵且复杂的系统级集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺仪非常适合用于汽车报警器、远程信息处理和保险车辆追踪应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps 集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪和温度传感器 按照AEC-Q100执行&...
    发表于 11-03 10:07 ? 242次 阅读

    MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路

    502x电源管理集成电路 (PMIC) 在一个器件中集成了多个高性能降压稳压器。PF502x PMIC既可用作独立的负载点稳压器IC,也可用作较大PMIC的配套芯片。 NXP PF502x电源管理集成电路 (PMIC) 具有用于关键启动配置的内置一次性可编程 (OTP) 存储器存储。借助该OTP特性,可减少通常用于设置输出电压和稳压器序列的外部元件数量,从而打造时尚器件。启动后,稳压器参数可通过高速I2C进行&#...
    发表于 11-02 12:06 ? 308次 阅读

    T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风

    vensense T3902低功耗多模麦克风具有185μA至650μA电流范围、36Hz至>20kHz额定频率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装。T3902麦克风由一个MEMS麦克风元件和一个阻抗转换器放大器,以及之后的一个四阶调制器组成。T3902系列具有高性能、低功耗、标准和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麦克风非常适合用于智能手机、相机、平板电脑以及安全和监控应用。 特性 3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装 低功耗模式:185µA 扩展频率响应:36Hz至>20kHz 睡眠模式电流:12µA 高电源抑制 (PSR):-97dB FS 四阶∑-Δ调制器 数字脉冲密度调制 (PDM) 输...
    发表于 10-30 11:06 ? 286次 阅读

    ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风

    venSense ICS-40740超低噪声麦克风具有超低噪声、高动态范围、差分模拟输出和1个底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB灵敏度容差,因此非常适合用于麦克风阵列和远场语音控制应用。 特性 70d BA信噪比 -37.5dBV灵敏度 ±1dB灵敏度容差 4mm x 3mm x 1.2mm表面贴装封装 80Hz至20kHz扩展频率响应 165µA电流消耗 132.5dB SPL声学过载点 -87d BV PSR 兼容无锡/铅和无铅焊接工艺 符合RoHS指令/WEEE标准 ...
    发表于 10-30 10:06 ? 380次 阅读

    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    venSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封装中集成了3轴陀螺仪和3轴加速度计。IAM-50680器件具有片上16位ADC、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。TDK InvenSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件非常适合用于360°视角相机稳定、汽车报警器和远程信息处理应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps,集成16位ADC 数字输出X、Y和Z轴加速度计,具有±2g、±4g、±8g和±16g的可编程满量程范围,集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪、加速度计和温度传感器 自检功能 唤醒运动中断,用于应用处理器的低功耗运行 按照AEC-Q100执行的可靠性测试 按要求提供PPAP和认证数据 应用 导航系统航位推算辅助功能 ...
    发表于 10-29 13:06 ? 637次 阅读
    IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是喜马拉雅微型系统级IC (µSLIC) 电源模块,可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到µSLIC™电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。 直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。 特性 易于使用: 4V至60V宽输入降压转换器 可调节及固定的输出电压模块 内部电感器和补偿 降压转换器输出电流高达150mA 线性稳压器输出的精度为±1.3%,FB精度为±2% 全陶瓷电容器、紧凑布局 ...
    发表于 10-29 13:06 ? 178次 阅读
    MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散(25ps,典型值),因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V,与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS(低压差分信号),有助于最大限度地降低功耗,直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装,带侧面可湿性侧翼,符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V电源电压下工作。 特性 快速传播延迟:280ps(典型值) 低过驱色散:25ps(VOD=10mV至1V)  电源电压:2.7V至3.6V 2.7V电源时45.9mw(每个比较器) 节能型LVDS输出 温度范围:-40°C至+125°C 符合汽车类AEC-Q100标准 小型3mm x 2mm TDFN封装,带可湿性侧翼 ...
    发表于 10-29 13:06 ? 153次 阅读
    MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

    LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm? Cortex?-M33微控制器

    miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术,适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构,采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺,具有先进的安全特性。 LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
    发表于 10-29 13:06 ? 268次 阅读
    她的小梨涡完整版免费阅读