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什么开发工具让城市变得有智慧?

得捷电子DigiKey ? 来源:得捷电子DigiKey ? 作者:得捷电子DigiKey ? 2021-06-25 11:19 ? 次阅读

如今城市和社区持续面临着复杂的挑战,包括基础设施维护、人口增长和可持续性发展问题。经过精心建设,这些现代城市环境拥有了先进的交通系统、智能的电网、清洁、安全的社区,以及便利的设施。新的想法和新的技术融汇在一起,提高了市民的生活质量,并创造了一个更加美好光明的未来。良好的生活质量涉及市民日常生活的方方面面。智慧城市确保了经济的增长和生活质量的可持续性,其中环境和自然资源的可持续利用是关键。一个智慧城市必须是一个商业便利的城市,这样才能确保生活质量和经济增长。

《智慧城市》视频系列来到最后一集,其实有不同的公司也投放了资源来发展数字化,以科技改善人类生活。

是什么让城市变得有智慧——是数字基础设施和技术。对于智慧城市应用来说,采购到合适的零部件是极其重要的。经考察,我发现有些产品对智慧城市产品的智能部分有很大的作用。以下是我发现的一些Microchip产品。

PolarFire成像和视频套件

PolarFire成像和视频套件 (1100-MPF300-VIDEO-KIT-NS-ND) 是一款低功耗、小尺寸的FPGA,对机器视觉、医疗成像、监控和其他应用非常适用。它提供4K图像处理和双摄像头传感器。PolarFire系列最大的好处是:开发者不需要事先有FPGA经验。这个套件和其他PolarFire系列FPGA均配套使用VectorBlox软件。VectorBlox软件允许开发人员打造低功耗、小尺寸人工智能和机器学习应用。VectorBlox SDK旨在让开发人员能够用C++/C++对FPGA进行编程。

Hello FPGA开发套件

Hello FPGA开发套件 (1100-M2S-HELLO-FPGA-KIT-ND) 是一个很棒的套件,适合对FPGA有中低程度知识的开发人员。该套件还针对FIR滤波器FFT、FPGA内核功率测量、图像处理和人工智能提供了快速入门演示。该套件还具有ArduinoMikrobus连接器,在原型设计时提供了灵活性。另提供了各种配套扩展板,包括MikroE Click板。

EV18H79A

EV18H79A评估套件 (150-EV18H79A-ND)(图3)是专为机器学习设计的。它采用SAMD21G18微控制器,带板载调试器nEDBG。它还有一个CryptoAuthentication安全元件 IC (ATECC608A) 和 ATWINC1510 Wi-Fi网络控制器。温度和光线 (MCP9808) 传感器和带有高精度6轴MEMS (TDK InvenSenseICM-42688-P) 的扩展板,能够让开发人员收集数据,以训练和创建机器学习模型。

EV45Y33A评估套件 (150-EV45Y33A-ND) 也是一个机器学习套件。与EV18H79A类似,它采用了SAMD21G18微控制器。不同之处在于,该扩展板带有一个低功率惯性测量装置Bosch BMI160。

ATSAMC21-XPRO和QT8

SAMC21 xPlained Pro评估套件 (ATSAMC21-XPRO-ND) 与QT8 Xplained Pro (AC164161-ND) 相结合,展示了触摸板的耐水性和抗噪能力。xPlained Pro评估套件基于ATSAMC21。QT8展示了强大的耐水2D触摸表面解决方案。

Microchip提供了各种各样对智慧城市应用非常有效的元器件和设计资源。

责任编辑:haq

原文标题:赋能智慧城市!Microchip的这五款开发工具,不可或缺!

文章出处:【微信号:得捷电子DigiKey,微信公众号:得捷电子DigiKey】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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    TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 168次 阅读

    TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 182次 阅读

    TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 145次 阅读

    TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 162次 阅读

    TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 179次 阅读

    TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 413次 阅读

    TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

    信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 595次 阅读

    TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

    信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 301次 阅读

    TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

    信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 331次 阅读

    TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

    信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 338次 阅读
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