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三星的闪存技术在全球闪存市场中的地位了解

sdschina_2021 ? 来源:三星半导体和显示官方 ? 作者:三星半导体和显示 ? 2021-06-30 14:17 ? 次阅读

以声音和文字为核心的数据通信时代已经过去,我们迎来了海量数据流通的5G大数据时代,与之相应,大容量存储设备的重要性与日俱增。因此,闪存在第四次工业革命的大环境中占据一席之地,可以说是时代发展的必然趋势。

一直以来,三星以其高性能和高质量的产品及解决方案,保持着较为靠前的市场地位。三星于2002年全球范围内实现1Gb(千兆比特)NAND闪存量产,在全球闪存市场有着极高占有率,又于2013年实现3D V-NAND闪存量产,再次谱写新的历史

化局限为机会!

超越精微局限,开启3D存储芯片时代

▲ 三星的1Gb NAND闪存(左),2Gb NAND闪存(右)

凭借先进的技术,三星于上世纪90年代不断强化其在DRAM存储市场上的影响力,2000年以来又开始在闪存领域陆续取得成果。继1999年开发出1Gb NAND闪存以来,三星分别于2002年开发出2Gb,2003年开发出4Gb,2004年开发出8Gb,2005年开发出16Gb, 2006年开发出32Gb, 2007年开发出64Gb闪存,不断提升容量。

※CTF(Charge Trap Flash) :将多孔(Trap)氮化物(N)作为绝缘体,在孔内填入电荷来区分0与1的方式。用绝缘体氮化物替代原本导体浮栅的存储方式,从根源上杜绝邻近单元间的串扰问题。 与此同时,三星在微电子工程的地位也得到强化。其分别于2002年成功开发出90纳米,2003年开发70纳米,2005年开发50纳米,2006年开发40纳米,2007年甚至突破当时公认的技术局限,成功开发出30纳米级别的芯片。

▲ 浮栅技术、CTF技术和3D V-NAND技术对比

一方面,三星于2006年突破了普遍应用的浮栅技术的局限,开创CTF(Charge Trap Flash) NAND技术,实现40nm 32Gb NAND闪存的商用化。

然而随着精微化和量化程度的提升,CTF NAND技术也遭遇了其技术瓶颈。自引入10nm级别制程的128Gb闪存问世以来,存储数据的单元越来越小,相邻单元的间隔也越来越小,因电子迁移而引起的干涉现象也变得日益严重。

▲ 三星于2013年实现量产3D V-NAND闪存

为解决这一问题,三星于2013年8月量产3D垂直闪存,突破了芯片精微技术的局限。自此,3D集成技术得以商用,存储芯片从平面过渡到立体,拉开了3D立体芯片时代的序幕,这在当时成为了震撼全球的热点新闻。

与此前的平面NAND相比,应用了三星独家技术“3D圆柱形CTF(3D Charge Trap Flash)单元结构”和“3D垂直叠层工程技术”的V-NAND,具有速度更快、耗电更低、耐久度更强的三重优势,可以对控制阀门中存储的电荷实现更为高效稳定的管理。不同于在平面上制造精微电路并水平排布单元的平面闪存,3D垂直闪存的结构是在竖直方向进行单元叠层的方式。这可以看作是三星通过单元结构和工程创新,来突破存储集成度限制的三星NAND闪存技术的结晶。此后在太字节(TB)时代中占据主导地位的大容量闪存量产技术,也就此得到保障,从这一点来说,这项技术也有着重大的意义。

文章出处:【微信公众号:三星半导体和显示官方】

责任编辑:gt

原文标题:三星半导体|三星的闪存技术,你了解多少?

文章出处:【微信号:sdschina_2021,微信公众号:三星半导体和显示官方】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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