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                  SoC开发者将要面临哪些挑战

                  华为计算 ? 2021-08-16 17:02 ? 次阅读

                  高性能计算中,计算、存储、网络三大部件不可或缺。长久以来,追求更高的算力一直是产业的主要创新方向。如今,多样性算力打破了算力瓶颈,HPC、云计算、AI技术走向融合,使得数据价值能够被更充分地挖掘,各行业数据量迎来了爆发式增长。随着这一转变的推进,云服务提供商将面临在超大规模云环境中不断提高性能、扩展性和安全性的挑战。

                  SoC开发者面临哪些挑战?

                  推动当前高性能计算市场发展的主要趋势有四个,而每个趋势都给SoC开发者提出了挑战:

                  数据大爆炸

                  新兴应用的发展引起数据量激增,给SoC开发者的工作带来了诸多挑战,如何解决呢?

                  ● 在数据中心服务器CPU方面:增加更高的计算密度、提升可扩展性、能效,增加更快接口● 在芯片架构方面:SoC供应商通过多die架构提供更高的性能和灵活性——分解中心和IO Die——可伸缩中心Die

                  AI技术普及

                  为了应对大量数据的分析与提取,AI加速器的使用增多,需要提高SoC和云基础架构性能,如何解决呢?

                  ● 增加算法复杂度

                  ● 人工智能算法的发展需要具有高可扩展性的芯片阵列来减少昂贵的训练时间

                  ● 优化每瓦最高功率以降低边缘部署的能源和成本

                  ● 利用DDR5/HBM2e满足神经网络处理要求

                  存储需求提高

                  数据量的快速增长对存储容量和传输速度提出更高要求,接口技术面临挑战,如何解决呢?提高接口速度,以便更快地移动数据● DDR5内存处理● PCIe的高速接口 ● 800G+以太网

                  信息安全性

                  随着科技的发展,大量模拟工作在HPC和云环境中开展,如何确保数据安全,满足监管和隐私要求?打造高度集成的安全IP解决方案● 信任根● PCIe/CXL加密

                  适用于高性能计算的DesignWare IP

                  新思科技提供种类齐全的优质硅验证IP产品组合,帮助开发者开发HPC SoC,用于AI加速器、网络和存储系统。新思科技DesignWare接口IP(包括高速112G SerDes IP)、处理器IP、安全IP和基础IP经过优化之后实现了高性能、低延迟和低功耗,同时支持业内先进的工艺技术。

                  ● 新思科技拥有高质量且经过硅验证的全面IP产品组合

                  ● 针对高性能、低延时和低功耗需求进行优化的多种IP

                  ● 可支持从16nm到5nm FinFET的先进处理技术

                  新思科技针对云SoC,可提供全面IP产品组合:

                  ● DDR5/4内存控制器和PHY

                  ● HBM内存解决方案

                  ● 112G多协议SerDes

                  ● 112G USR/XSR SerDes 和HBI接口

                  ● PCIe解决方案

                  ● CXL解决方案

                  ● ARC HS处理器

                  ● 安全性IP

                  编辑:jq

                  原文标题:数据量激增时代下如何应对HPC SoC开发挑战

                  文章出处:【微信号:gh_3a181fa836b6,微信公众号:华为计算】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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                  高性能的机器学习让边缘计算更给力

                  在科技日新月异的当今社会,人工智能 (AI) 的研究工作已取得惊人进展,计算机的用途也在不断拓宽。
                  发表于 08-31 11:09 ? 249次 阅读
                  高性能的机器学习让边缘计算更给力

                  雷锋网「2021 AI 最佳成长榜」重磅揭晓

                  1905年,26岁的爱因斯坦,仿佛被上帝摸了他的头,突然一下连续抛出了六篇学术论文,而每一篇都成为现....
                  的头像 话说科技 发表于 08-31 10:31 ? 536次 阅读
                  雷锋网「2021 AI 最佳成长榜」重磅揭晓

                  5G高算力智能模组助力智能网联汽车

                  如今,汽车行业正经历百年未有之大变局,随着智能网联、5G等技术快速发展,汽车也被认为是继个人电脑、手....
                  发表于 08-30 15:55 ? 43次 阅读
                  5G高算力智能模组助力智能网联汽车

                  超脑少年团持续热播,科大讯飞AI学习机助力孩子好奇心培养

                  8月27日,由科大讯飞AI学习机独家冠名播出的大型沉浸式烧脑真人秀《超脑少年团》如期而至。在往期节目....
                  发表于 08-30 15:38 ? 59次 阅读
                  超脑少年团持续热播,科大讯飞AI学习机助力孩子好奇心培养

                  驴迹科技公布2021年中期业绩:实现扭亏为盈,业务稳步恢复

                  驴迹科技持续巩固于电子导览行业的领导地位,积极把握复苏的机会,灵活应对市场需求的变化。
                  的头像 西西 发表于 08-30 10:10 ? 377次 阅读
                  驴迹科技公布2021年中期业绩:实现扭亏为盈,业务稳步恢复

                  电话机器人怎么样,它有哪些功能

                  随着科技水平的不断提高,人们的生活也变得更加智能化,在电销行业,一款新型的智能语音电话机器人的出现,....
                  发表于 08-28 17:20 ? 217次 阅读
                  电话机器人怎么样,它有哪些功能

                  科学家探索AI“选择性失忆”问题

                  在计算机科学中的新兴领域,机器学习研究者们已经开始探索在AI中诱发“选择性失忆”的方法,是为了在不影....
                  发表于 08-27 15:28 ? 369次 阅读
                  科学家探索AI“选择性失忆”问题

                  数字与SOC设计

                  发表于 08-27 07:56 ? 0次 阅读
                  数字与SOC设计

                  携手共治,推动发展 | 考拉悠然与紫光华智达成战略合作

                  8月24日,成都考拉悠然科技有限公司与重庆紫光华山智安科技有限公司正式签署战略合作协议。双方将在智慧....
                  的头像 话说科技 发表于 08-26 18:04 ? 171次 阅读
                  携手共治,推动发展 | 考拉悠然与紫光华智达成战略合作

                  STM32基本原理简介

                  STM32基本原理一、简介1、意法半导体公司(1)ST(2)生产ARM Cortex-M核心2、STM32 SOC命名规则(1)STM32F...
                  发表于 08-13 06:30 ? 0次 阅读
                  STM32基本原理简介

                  SOC和MCU有哪些不同之处

                  CPU是什么?CPU是由哪些部分构成的?CPU有何作用 MPU是什么?MPU包括哪些? MCU是什么意思? SOC指的是...
                  发表于 08-09 07:09 ? 0次 阅读
                  SOC和MCU有哪些不同之处

                  一种开放性的SoC总线标准

                  (Advanced Microprocessor Bus Architecture)是ARM公司提出的一种开放性的SoC总线标准,现在已经广泛的应用于RISC...
                  发表于 08-05 07:02 ? 0次 阅读
                  一种开放性的SoC总线标准

                  FROM与DDR的区别在哪

                  FROM与DDR的区别1、速率与预取量DDR2的实际工作频率是DDR的两倍,DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能...
                  发表于 07-29 06:23 ? 0次 阅读
                  FROM与DDR的区别在哪

                  SoC是什么意思

                  SoC的全称叫做:System-on-a-Chip,中文的的意思就是“把系统都做在一个芯片上”,如果在PC时代我们说一个电脑的核心是CP...
                  发表于 07-28 07:57 ? 0次 阅读
                  SoC是什么意思

                  简述SoC

                  简述SoC
                  发表于 07-28 06:07 ? 0次 阅读
                  简述SoC

                  如何去配置一块处理器上的DDR

                  内存是我们平常嵌入式系统中接触的比较频繁的硬件之一,但是我们对这个器件的了解却知之甚少。主要的原因是作为嵌入式工程师的我...
                  发表于 07-26 08:21 ? 0次 阅读
                  如何去配置一块处理器上的DDR

                  基于FPGA单芯片实现ARM系统设计解决方案

                  面对当今竞争激励的市场,嵌入式系统设计人员不得不重新审视其设计和开发过程。系统越来越复杂,性能、功耗和空间限制也越来越大...
                  发表于 07-12 08:00 ? 2121次 阅读
                  基于FPGA单芯片实现ARM系统设计解决方案

                  AVR单片机寄存器DDR、PORT和PIN之间的对应关系是什么?

                  DDR、PORT和PIN是什么? AVR单片机寄存器DDR、PORT和PIN之间的对应关系是什么? ...
                  发表于 07-08 07:22 ? 0次 阅读
                  AVR单片机寄存器DDR、PORT和PIN之间的对应关系是什么?

                  FAN5236 宽输入电压范围双通道输出/ DDR PWM / PFM控制器

                  6 PWM控制器为两个可调输出电压提供高效率和调节功能,范围为0.9V至5.5V,用于为高性能笔记本电脑,PDA和Internet设备中的I / O,芯片组,存储器库供电。同步整流和轻载时的滞后运行为大量不同负载提供了高效率。如果所有负载水平都需要PWM模式,滞后模式可在每个PWM转换器上单独禁用。通过使用MOSFET RDS(ON 前馈斜坡调制,平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180度相位偏移动异相操作减少了输入电流纹波。控制器可通过激活专用引脚,转变成完整的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能,这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5236监控这些输出,在软启动完成且输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx(电源正常)信号。内置过压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。过压条件停止后,会自动恢复正常操作。当此输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时,欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时,可使...
                  发表于 04-18 22:35 ? 199次 阅读
                  FAN5236 宽输入电压范围双通道输出/ DDR PWM / PFM控制器

                  FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

                  6 PWM控制器为两个输出电压提供高效率的调节,可调范围从0.9v至5.5V,这是高性能计算机,机顶盒以及VGA卡中的电源I / O,芯片组,存储器库所必需的。同步整流有利于在较宽的负载范围内获得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作为电流感测组件,效率还可进一步提高。斜坡调制,平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。具有180°相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。控制器可通过激活专用引脚,转变成完全的DDR存储器电源解决方案。在DDR模式中,一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能,这对于DDR芯片正确加电至关重要。还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压.FAN5026监控这些输出,并在软启动完成并输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx(电源正常)信号。压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。过压条件停止后,会自动恢复正常操作。当输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时,欠压保护会闩锁芯片。可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。需要精确电流感测时,可使用外部电流感测电阻。 特性 高灵活性,双同步开关PWM控...
                  发表于 04-18 22:35 ? 218次 阅读
                  FAN5026 双输出/ DDR PWM控制器

                  NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  03是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51403保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51403支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51403还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:45 ? 103次 阅读
                  NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

                  10是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51510保持快速瞬态响应,并且只需要10uF的最小VTT负载电容即可实现输出稳定性。 NCP51510支持远程感应和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 支持最高3 A的负载(典型值) ),输出是过流保护 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 具有热关断保护功能的集成MOSFET PGOOD输出引脚监视VTT输出调节状态 SS输入引脚用于暂停关闭模式 灵活电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入(开尔文连接) 内置软启动,欠压锁定 应用 DDR内存终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 电信/数据通信,GSM基站 图形处理器核心耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM提供低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:45 ? 134次 阅读
                  NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

                  NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应,仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电信/数据通信,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:42 ? 172次 阅读
                  NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

                  00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:42 ? 186次 阅读
                  NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

                  NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应,仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:42 ? 182次 阅读
                  NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应,仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:41 ? 179次 阅读
                  NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

                  NCP51199 2安培DDR终端稳压器

                  99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:41 ? 122次 阅读
                  NCP51199 2安培DDR终端稳压器

                  NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

                  98是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:41 ? 115次 阅读
                  NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

                  NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

                  45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制,软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用,源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷(极低ESR)电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:41 ? 172次 阅读
                  NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

                  NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

                  90是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
                  发表于 04-18 21:40 ? 254次 阅读
                  NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

                  FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

                  V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器,适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作,并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 连接在一起,绕开内部线性调节器,则该器件可以在5V电轨(±10%)下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构,可提供出色的瞬态响应,并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置,为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后,达到正常工作温度时,滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围:在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可配置软...
                  发表于 04-18 21:09 ? 147次 阅读
                  FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

                  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

                  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
                  发表于 04-18 20:05 ? 358次 阅读
                  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

                  TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

                  信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25m? 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10μF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1μA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
                  发表于 04-18 20:05 ? 254次 阅读
                  TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

                  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

                  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
                  发表于 04-18 20:05 ? 172次 阅读
                  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

                  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

                  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
                  发表于 04-18 20:05 ? 621次 阅读
                  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

                  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

                  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
                  发表于 04-18 20:05 ? 339次 阅读
                  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

                  TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

                  信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
                  发表于 04-18 20:05 ? 324次 阅读
                  TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

                  TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

                  信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10μF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
                  发表于 04-18 20:05 ? 565次 阅读
                  TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器
                  欧美美女的白虎