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如何降低开发门槛助力音视频创新玩法

Huawei_Kirin ? 来源:华为麒麟 ? 作者:华为麒麟 ? 2021-09-28 10:26 ? 次阅读

9月16日,华为多媒体管线服务(AV Pipeline Kit)技术直播正式开启。华为多媒体管线服务产品经理Michelle、华为多媒体技术专家Salvatore、华为计算机视觉算法专家Ting、和华为AI技术专家Eric相聚直播间,深度解析了AV Pipeline Kit的技术要点和应用场景,助力广大音视频开发者以更轻松更高效的方式,为用户提供新玩法,新交互。

缘起:音视频开发面临诸多挑战,麒麟协同各团队力量推AV Pipeline Kit

随着宽带提速,5G 普及,AI技术应用,用户对网络视频的内容、互动性、播放速度和清晰度的要求越来越高。相应的,多媒体开发呈现出实时化和智能化的趋势,开发者在开发与管理过程中,面临更高的技术门槛、更多的开发工作量等诸多挑战。

其一,开发难度进一步加大,开发成本更高。很多视频+AI的开发,需要在传统管线中加入AI处理技术,这涉及到诸多数据处理能力,对于开发者来说技术门槛很高。

其二,端侧实时化的智能视频开发可能会遇到算力和功耗的限制。以端侧超分为例,手机端算力比较受限,而视频逐帧的超分实时处理对时延和功耗的要求是极高的。此外,视频解码后的数据要拿去做超分,就涉及到数据在不同IP之间的流转和拷贝,会影响功耗,导致手机发烫。

以上诸多痛点,阻碍了开发者创新的脚步。为此,麒麟团队整合了各个部门的能力,包括多媒体团队、NPU团队以及算法团队,在今年7月份推出了华为多媒体管线服务(AV Pipeline Kit)。AV Pipeline Kit是一个面向安卓开发者的多媒体开放能力体系,它包含一个轻量级的多媒体开发框架和一系列高性能的音视频处理插件,帮助开发者们降低开发难度,让开发者们可以通过自定义流水线编排,将多种高性能插件快速集成到应用中,轻松实现更加丰富的多媒体功能。

轻量化设计:“拼乐高”式的流水线编排,助力开发者高效开发

在AV Pipeline Kit多媒体开发框架中,包含了多个预置的流水线编排,即一些现成的开箱即用的业务场景,被封装成了接口供直接调用;同时也支持自定义流水线编排,将不同插件按不同的连接关系串联起来形成新的业务场景。

如何简单理解流水线编排的过程呢?以视频超分为例,按照插件之间的处理顺序来看,首先是一个音视频的解封装过程,然后会经历音视频的解码,而后解码视频帧会进行视频超分处理,最后进行送显。从输入到输出,可以看成是一个流水线的过程。

谈及流水线编排的设计思路,华为多媒体技术专家Salvator表示,首先是对业务进行抽象,然后把它分割成子过程,对子过程再进行一个抽象,实现具体的插件,最后再把插件用Pipeline的方式拼接起来。这样的好处一方面是便于统一管理,另一方面提高了复用度。

这个过程可以简单理解为拼乐高,一个个插件就是一个个不同形状的乐高片,开发者的业务就像搭乐高一样,不同的开发者可以从插件库里选择需要的插件,拼成想要的业务场景。AV Pipeline Kit定义了一套插件标准接口,开发者只需要继承这个接口类,并实现初始化和数据处理相关的逻辑即可,无需考虑并发、线程同步、状态转移、buffer池管理、多实例等问题,这些已经全部由框架层实现好了。

突破:视频超分,最高3倍超分效果背后的技术优势

所谓“超分”,可以理解为在视频播放过程中进行智能识别与锐度优化,从而让视频看起来比原本更清晰、明丽。在大型影视和游戏制作中,超分是一种非常关键的技术。想要在端侧在线场景中,帮助开发者获得实时化、高性能、低功耗的超分,就需要从AI技术到硬件资源调用的一系列优化。

据华为计算机视觉算法专家Ting介绍,AV Pipeline Kit提供传统的GPU超分方案和AI超分方案两种,以达到性能和功耗的平衡。“比如我们检测到在麒麟高端芯片上,就会优先采用NPU的AI超分算法,最高可实现3倍的超分效果。如果没有NPU的硬件,我们就会选择GPU方案做超分处理,效果可能会有一些下降,但性能上是满足了实时性要求的。”

为了帮助开发者便捷获取真实可用的逐帧超分能力,实现超分不卡顿的体验,AV Pipeline Kit首先在机器视觉算法上进行了一系列技术突破。比如,在AI模型结构上应用了卷积神经网络,提升了复杂真实场景的超分效果;在数据工程方面,用一系列方法还原了多媒体数据的构造过程,提升网络的优化结果;在端侧模型压缩方面,进行了新的网络小型化探索,确保超分效果可以在端侧场景中被很好地执行。

其次,为了兼顾高性能与低功耗,AV Pipeline Kit和华为 HiAI Foundation之间也有不少配合。据华为AI技术专家Eric介绍,华为HiAI Foundation作为NPU使能的基础平台,能够快速将原始模型转换成华为Davinci Model,并通过Davinci Model的调优技术,优化模型结构,充分发挥NPU硬件单元的算力,令模型算子以更低功耗在手机端侧高效运转。

在超分业务中,内存DDR的频繁读写对性能和功耗都是很大的挑战。HiAI Foudation算子库在优化模型执行时,重点对算力和带宽利用做了平衡,在满足业务要求的算力情况下,尽可能的减少对于内存的反复读写,更多的利用内部buffer和cache,极大地提供了性能,降低了功耗。

在一系列的技术突破之后,用户可以获得更好的画质体验,视频平台可以节省带宽和服务器资源,开发者则能够高效集成业务,降低工作量。

突破:声音事件检测,为实现98%识别率攻克的技术难题

对于开发者来说,声音事件检测是相对比较复杂的技术,需要丰富的技术资源与开发经验。AV Pipeline Kit将这些功能以文件配置的形式直接带给开发者,且经过麒麟团队的长期深耕,声音检测事件插件可以确保声音识别的准确与稳定。

目前,AV Pipeline Kit声音事件检测目前已经可以支持日常使用的13种声音,包括无障碍功能、健康检测、辅助安全驾驶、安全防盗、事故报警防剐蹭、停车启动安全等丰富的场景。经过研发团队的深度优化和组合验证,当前识别准确率平均在98%以上,无论从声音事件类别还是识别性能上来看,都属于业界领先。

据华为计算机视觉算法专家Ting介绍,团队主要聚焦在两个点上做突破,确保了声音识别的准确及稳定性。一是解决了不同声音事件的时间片段的长短。不同声音事件长短不同,比如孩子的哭声以及宠物叫声,猫叫狗叫是瞬发型的,而哭是一个持续性的动作,所以他们的事件片段,时间片和长短是不一样的,声音事件检测插件在设计网络的时候,参考了Inception网络,计算多个不同大小的卷积,这样感受野就不同,进而提出的特征就更加具有针对性,特征空间更加丰富。

二是易混淆类别频谱的区分。有一些声音事件的混淆度比较高,比如在某些情况下小孩的哭声和猫叫声相当接近,无论是人区分以及转化为频谱信息之后去查看,都很容易混淆。声音事件检测插件引入技术注意力机制,对易混淆的类别做一个区分。

面向未来:

深挖视频播放、编辑场景,为开发者提供创新能力

最后,华为多媒体技术专家Salvatore表示,AV Pipeline Kit后续会继续完善框架和插件,重点关注如视频播放、视频编辑等对性能要求比较高,对功耗比较敏感的场景,包括考虑预置录制和编辑业务,以及与人像拍摄美化相关的插件能力。

未来,麒麟团队将持续投入核心技术,突破技术难点,简化底层开发繁琐流程和难点,降低智能化视频开发的门槛,助力音视频开发者技术创新,在激烈的竞争角逐中取胜。

编辑:jq

原文标题:如何降低开发门槛,助力音视频创新玩法?AV Pipeline Kit深度技术解析

文章出处:【微信号:Huawei_Kirin,微信公众号:华为麒麟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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    NCP51403 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

    03是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51403保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51403支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51403还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:45 ? 188次 阅读

    NCP51510 ±3A吸收/源DDR终端稳压器

    10是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51510保持快速瞬态响应,并且只需要10uF的最小VTT负载电容即可实现输出稳定性。 NCP51510支持远程感应和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51510还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51510采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 支持最高3 A的负载(典型值) ),输出是过流保护 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 具有热关断保护功能的集成MOSFET PGOOD输出引脚监视VTT输出调节状态 SS输入引脚用于暂停关闭模式 灵活电压跟踪的VRI输入参考 用于遥感的VTTS输入(开尔文连接) 内置软启动,欠压锁定 应用 DDR内存终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 电信/数据通信,GSM基站 图形处理器核心耗材 机顶盒,LCDTV / PDPTV,复印机/打印机 为芯片组/ RAM提供低至0.5 V的电源 有源/汇总总线终端 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:45 ? 231次 阅读

    NCP51400 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

    00是一款源/汇双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素.NCP51400保持快速瞬态响应,仅需要最小的输出电容20 F. NCP51400支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51400还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1 V至3.5 V 快速负荷瞬态响应 PGOOD - 监视VTT规则的逻辑输出引脚 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 VRI - 参考输入允许灵活的输入跟踪直接或通过电阻分频器 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电信/数据通信,GSM基站 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:42 ? 259次 阅读

    NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/汇VTT终端稳压器

    00是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51200保持快速瞬态响应,仅需要20 uF的最小输出电容。 NCP51200支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51200还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51200采用热效率高的DFN10裸露焊盘封装,额定绿色和无铅。 特性 输入电压轨:支持2.5和3.3 V Rails PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载 - 瞬态响应 PGOOD-Logic输出引脚监控VTT规则 关闭模式的EN-Logic输入引脚 VRI参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 遥感(VTTS) ) 内置软启动,欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终止 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 有源总线终端 台式电脑,笔记本电脑和工作站 服务器和网络设备 机顶盒,液晶电视/ PDP-电视,复印机/打印机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:42 ? 329次 阅读

    NCP51401 3安培VTT端接稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

    01是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51401保持快速瞬态响应,仅需要20 F的最小输出电容.NCP51401支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51401还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:42 ? 261次 阅读

    NCP51402 3安培VTT终端稳压器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

    02是一款源/吸收双倍数据速率(DDR)终端稳压器,专为低输入电压和低噪声系统而设计,其中空间是关键考虑因素。 NCP51402保持快速瞬态响应,仅需要20μF的最小输出电容。 NCP51402支持远程感应功能和DDR VTT总线终端的所有电源要求。 NCP51402还可用于需要动态可调输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 特性 输入电压轨:支持2.5 V,3.3 V和5 V导轨 PVCC电压范围:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速负载瞬态响应 PGOOD - 监控VTT规则的逻辑输出引脚 VRI - 参考输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪 EN - 关闭模式的逻辑输入引脚 内置 - 欠压锁定和过流限制 应用 终端产品 DDR内存终端 服务器和网络设备 图形处理器核心耗材 芯片组/ RAM耗材低至0.5 V 机顶盒,液晶电视/等离子电视,复印机/打印机 台式电脑,笔记本电脑和工作站 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:41 ? 246次 阅读

    NCP51199 2安培DDR终端稳压器

    99是一款线性稳压器,旨在为DDR-2和DDR-3存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够为DDR-2和DDR-3主动提供和吸收+ -2A峰值电流高达+ -1.5A,同时将VTT输出电压调节到+ -10mV。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻调节到跟踪VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT电压 集成功率MOSFET VTT输出上的10uF陶瓷电容稳定 FullLoad的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软启动 待机或挂起模式关机 集成散热和CurrentLimit保护 应用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接电压 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:41 ? 193次 阅读

    NCP51198 1.5 DDR终端稳压器

    98是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到-30 mV以内。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有热保护功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 FullLoad时的高精度输出电压 最小外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 机顶盒,数字电视,打印机 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作电台 显卡DDR内存终端 嵌入式系统 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:41 ? 189次 阅读

    NCP51145 1.8A源/汇VTT DDR终端稳压器

    45是一款线性稳压器,旨在为DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存储器应用提供稳定的VTT端接电压。稳压器能够主动提供和吸收±1.8 A峰值电流,同时将输出电压调节到±20 mV以内。输出端接电压通过连接到PVCC,GND和VREF引脚的两个外部分压电阻进行调节,以跟踪VDDQ / 2.NCP51145集成了一个高速差分放大器,可对线路和负载瞬态提供超快速响应。其他功能包括源/灌电流限制,软启动和片上热关断保护。 特性 对于DDR VTT应用,源/汇电流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用仅陶瓷(极低ESR)电容器稳定 集成电源MOSFETs 满载时的高精度VTT输出 快速瞬态响应 内置软件-Start 关机待机或挂起模式 集成热量和限流保护 应用 终端产品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接电压 低功耗DDR-3LP 主板,笔记本电脑和VGA卡内存终止 机顶盒,数字电视,打印机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:41 ? 268次 阅读

    NCP51190 1.5安培DDR终端稳压器

    90是一款简单,经济高效的高速线性稳压器,专为DDR-I,DDR-II和DDR-III存储器生成VTT终端电压轨。稳压器能够为DDR-I主动提供或吸收高达-1.5 A A,或者DDR-II高达-0.5 A,-III,同时将输出电压调节到+ -30 mV。 特性 生成DDR存储器终端电压(VTT) 对于DDRI,DDRII,DDRIII源/汇电流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 带热保护的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT电容器稳定 高精度输出FullLoad的电压 最小的外部元件数 关机待机或暂停至RAM(STR)模式 内置软启动 应用 台式电脑,笔记本电脑和工作站 嵌入式系统 显卡DDR内存终端 机顶盒,数字电视,打印机 有源总线终端 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 21:40 ? 347次 阅读

    FAN23SV04TAMPX 4 A同步降压调节器 实现DDR终止

    V04TAMPX是一款极为高效的集成式同步降压调节器,适合DDR终止电轨等跟踪应用.V DDQ 输入包括一个可以减少总电路尺寸和元件数量的内部2 :1电阻分压器。该调节器在7 V到18 V的输入电压范围内工作,并支持4 A的连续负载电流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 连接在一起,绕开内部线性调节器,则该器件可以在5V电轨(±10%)下工作。该器件采用飞兆恒定导通时间控制结构,可提供出色的瞬态响应,并保持相对恒定的开关频率。开关频率和吸收过流保护功能可配置,为各种应用提供灵活的解决方案。输出过压和热关断保护功能可以保护器件在故障期间免受损害。热关断功能被激活后,达到正常工作温度时,滞后功能会重新启动器件。 特性 V IN 范围:在7 V到18 V时使用内部线性偏压稳压器 V IN 范围:4.5 V至5.5 V时,V IN / P VIN / P VCC 连接到旁路内部调节器 高效率 连续输出电流:4 A 内部线性偏压稳压器 内部V DDQ 电阻分压器 出色的线路和负载瞬态响应 输出电压范围:0.5V至1.5V 可编程频率:200kHz到1.5MHz 可配置软...
    发表于 04-18 21:09 ? 233次 阅读

    TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

    信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
    发表于 04-18 20:05 ? 439次 阅读

    TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

    信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25m? 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10μF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1μA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
    发表于 04-18 20:05 ? 320次 阅读

    TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

    信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
    发表于 04-18 20:05 ? 234次 阅读

    TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

    信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
    发表于 04-18 20:05 ? 777次 阅读

    TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

    信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
    发表于 04-18 20:05 ? 440次 阅读

    TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

    信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
    发表于 04-18 20:05 ? 505次 阅读

    TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

    信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10μF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
    发表于 04-18 20:05 ? 728次 阅读
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