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何时使用PoE中跨

MicrochipTechnology ? 来源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2021-11-11 11:10 ? 次阅读

以太网供电(PoE)自 1997 年发明以来一直为许多设备供电。最初,大多数以太网交换机无法供电。因此,PoE 中跨应运而生,将其插入交换机后,中跨将向以太网线路注入电源,为设备提供数据和电源。

随着时间的推移,交换机开始提供电力和数据。PoE 交换机以极具吸引力的价格在市场上变得越来越普遍。因此,如今许多人认为他们必须在PoE 交换机或 PoE 中跨之间做出选择。其实,问题根本不在这。不能简单地选定PoE 交换机或是中跨,而是要视情况而定。

何时使用 PoE 中跨?

如果已经安装了不具备供电功能的交换机,那么增加一些成本,在应用中引入中跨即可为设备提供所需电源,而无需替换整台交换机,并且断网的时间也可以尽可能短。您可以在现有基础架构的基础上进行构建,并以最少的投资添加电源管理等功能。

但是,即使安装了 PoE 交换机,或者正在安装新的 PoE 交换机,交换机也可能无法为所有端口提供所需的电源。每台交换机都有功率预算。功率预算是交换机可以提供的最大功率。很少有 PoE 交换机可以在所有端口上提供全功率。如果连接设备的电力需求比交换机所能提供的更大,补充电力的最简单且成本最低的方法是添加 PoE 中跨,以向未提供电源的端口供电。

将以太网交换机与 PoE 中跨分开还可以获得许多好处。如果交换机发生故障,PoE 中跨仍将为连接的设备供电。此外,中跨最初只能支持最高1 GPS 的数据速率,但现在能够支持高达10 GPS的数据速率。安装这样的中跨后,为了提高预期的网络速度,只需更换交换机。这使网络管理员能够在不更换整个基础设施的情况下升级网络。

总之,中跨提供了极大的灵活性。并非交换机上的每个端口都需要电源。中跨支持多台交换机只为有电源需求的端口供电。

只要需要,可以随时随地以适当的电压提供电力;支持升级以提高速度,同时降低故障率,即使部署了 PoE 交换机,中跨也不失为一款完美的解决方案。

责任编辑:haq

原文标题:交换机不够用?PoE中跨助您一臂之力!

文章出处:【微信号:MicrochipTechnology,微信公众号:Microchip微芯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 198次 阅读

    TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 201次 阅读

    TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 166次 阅读

    TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 180次 阅读

    TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 145次 阅读

    TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 156次 阅读

    TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 179次 阅读

    TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

    信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:03 ? 411次 阅读

    TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

    信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 587次 阅读

    TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

    信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C?兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 20:02 ? 296次 阅读

    TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

    信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 321次 阅读

    TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

    信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 04-18 19:07 ? 338次 阅读
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