电子发烧友网报道(文/黄山明、梁浩斌)今年不仅是新能源蓬勃发展的一年,同时也促进了储能行业的繁荣。如今,国内“碳达峰、碳中和”的战略方针,对于储能行业,规划到2025年,新型储能装机容量达到30GWh以上,让储能行业有了广阔的发展空间。
为了进一步调查国内储能市场的真实现状,电子发烧友网也在线下进行了近一个月的调查,采访了多家处于储能市场一线的玩家,与行业资深大佬进行深入交流。
厂商如何布局储能市场?
此前,我们对于储能市场也有一定的关注,并且与相关厂商有了一些初步的接触。从这些企业中可以得知,随着新能源汽车市场的蓬勃发展,全球储能市场也随之打破增长纪录,新增规模较2020年翻数倍。
同时,根据伍德麦肯兹最新研究显示,2021年国内市场发展速度大大超出预期,全年新增规模达到12GW左右。但有部分企业认为,其中国家政策对储能行业的发展贡献了巨大的推动力。
中微半导体(深圳)股份有限公司研发及市场总监尹玉君认为储能行业实现产业化发展,是离不开政策和市场机制的全面扶持。储能产品大体分为两类,一类为电网侧储能,一类为户用侧储能。
其中电网侧储能作为国家电网电力系统运行的分支,始终是国家电力系统运行体系下的配套产品。国家在顶层设计上通过政策进行统筹,建设更为健全的运行机制与电力市场机制,通过政策调整打通储能多重应用,是电网侧储能市场发展的有力推手。
而在户用侧储能上,政策其实并不是主要推手。以在2021年特别流行的户外便携式储能电源为例。2021年对锂电便携式储能电源的需求激增,这类产品多样化的功能,为用户在户外提供供电、照明等用途,丰富了户外生活。这种用户侧储能市场的应用场景,就是由市场刚需带动的,与政策推动无关。
同时,技术突破带来的储能市场及相关行业的成本大幅下降:储能电池是整个电池储能系统的产业核心,在电池本体生产规模、制造工艺不断提升以及储能系统高度集成化发展驱动下,2012年以来锂离子电池储能系统成本下降75%左右,基本达到储能系统经济性的拐点。
储能市场对半导体的需求非常旺盛,主要技术领域是电源转换和电池管理。在具体芯片层面,主要体现在以MOSFET、IGBT为代表的功率器件、锂电池管理芯片、高效的电源转换控制芯片、高可靠性的嵌入式处理器(MCU)等。
中微半导作为以MCU为核心的平台型芯片设计企业,具备储能技术创新研发能力,目前已经有各类低压MOS、650V等级15-75A的IGBT进入量产,32位低功耗BAT32G13x系列MCU、32位高性能的BAT32G4xx系列MCU也已流片。在市场应用方面,目前中微半导体已批量进入小功率户用储能市场和户用光伏市场。
南都电源工作人员对记者表示,近几年随着风电、光伏等技术成熟,产业成本的降低和需求的推动,再加上国家鼓励建设储能与新能源组合的电站政策,多个方面都共同促进了国内储能行业的发展。
不过,南都工作人员对储能细分市场有不同看法。他认为储能可以分为四个方面,包括发电侧、电网侧、用户侧和充电桩储能等细分市场。
其中,发电侧由于有明确的政策支持,是目前储能行业最重要的增量市场;而电网侧目前未有明显的爆发迹象,但将会是长期需求;而用户侧与政策关系不大,由于使用环境不同,国内需求空间不大,主要市场在海外;而充电桩储能等还处于早期发展阶段。
在储能的技术路线上,虽然目前行业方案多样,比如机械储能、热储能、电化学储能等。但南都电源认为,电化学储能是产业化应用前景最大的一条路线。而其中,锂电由于在各种电化学储能中市场增速最快,因此无论是在新能源汽车还是储能项目中,锂电都是处于市场主导地位。
据介绍,目前南都电源拥有全生命周期的储能产品和技术,从系统集成、电芯,到控制模块BMS、EMS等等,甚至在电池生命周期结束后,还提供回收业务。
储能商业化难点
虽然现在能够看到各地的储能项目都开始大规模落地建设,但储能商业化依然存在不少问题。比如有数据显示,光伏电站回本周期一般是6到8年,这还是不算上配套设施和运营成本,回本难成为了储能项目的痛点之一。
在交流的过程中,有业内人士认为,储能行业与电力产品类似,需要经过反复试验并建立完善标准,经过小规模小范围推广才能成为最后的标准建设配置。
然而,储能其实经历了多年发展,但长期处于商业化早期,进展缓慢。该业内人士认为,其中原因主要可以分为四点:
一、储能成本高,考虑到近期锂原料还在不断涨价,未来电芯价格还是一个谜;
二、商业模式还不成熟,目前主要是发电侧的可再生能源并网、用户侧的丰谷差储能节省电费、提供给火电站调控用,但除了市场规模小的火电站,其他模式投资回报周期都过长,风险高;
三、一直以来缺乏长期稳定的政策支持。虽然近期有很多利好储能的政策出现,但还未体现出长期稳定的性质。
四、 储能项目的安全性问题、技术缺少大规模应用的验证。
进一步地说,国内储能技术发展缺少应用市场的推进,最大的应用领域无疑是电网建设方面。但目前还缺少相关规划,这或许还要多方面共同支持。
芯片如何助力储能产业发展?
在功率器件上,尹玉君表示,功率电子半导体器件是实现高效电能存储和转换的关键半导体器件,也是除了电池本体外的,储能系统主要成本构成。储能系统必须能够安全可靠地运转15年,因此,功率半导体器件及模块必须以低损耗运行,并以尽量低的成本提供最大可靠性和安全性。
用碳化硅制成的第三代功率半导体器件可实现高开关频率,而专用的功率转换模块的拓扑结构有助于节省储能产品的各级无源器件。因此高频化、低功耗、拓扑专业化的功率模块将会是未来储能行业功率器件的主要需求。
针对储能安全,主要表现为储能电池的安全,除选用稳定性更高的电池本体以外,优异的电池管理BMS系统不可或缺。
而在电池管理系统中,电池管理芯片又是重中之重。电池管理芯片本身的性能,主要体现在电压、电流以及温度信号的测量精度上。一方面可以使得整个电池保护过程更加安全可靠和稳定;另一方面也可以更加充分地利用电池能量。而且,高系统集成度和可靠性的电池管理芯片,应集成输入通道保护器件,主动均衡驱动电路,可以使外围电路设计和器件数量极大程度得到简化,并提高可靠性。
当然,嵌入式处理器,电源转换等模拟芯片,功率半导体器件也同样重要。由于电网侧储能产品的生命周期通常在15年以上,大部分电网侧储能产品所使用芯片接近车规芯片标准。
纵览当前储能市场的发展历程,似乎与当年新能源车发展之初有些类似,那储能市场发展时也会遭遇同样的问题吗?
对此,尹玉君认为是不会的,新能源汽车市场当年受阻,是两个主要原因造成的,一是在产业结构上锂电成本居高不下;二是锂电的续航里程无法保障。
如今储能与新能源汽车市场,从产业结构上看,其实是一样的。我国新能源汽车近年来蓬勃发展,已培育了完善的锂电产业链,完全为低成本可靠的电池储能提供了规模化的条件。第二点在于新能源汽车是由于空间受限,才造成续航里程问题,而储能系统受空间方面的约束很小。
同时储能市场不仅是新能源建设的重要方向,也是新基建不可或缺的重要保障。未来该技术将广泛应用于融合新能源、城市应急供电、5G 基站后备电源等诸多方面。
在未来能源改革的大背景下,中微半导在储能市场将会继续聚焦芯片产品本身,以应对新基建带来的储能市场中的芯片需求。持续关注两个方面:一是持续探索不同的储能变换拓扑和应用技术,为客户提供更全面、更先进的解决方案。二是通过持续的芯片升级和技术创新,让各类储能产品更经济更高效,进一步帮助客户拓宽储能设备的应用分布场景。
小结:
目前来看,至少在国内市场中,储能产业主要还是依靠政策推进。但只要国家持续稳定地推进电力系统改革,继续推动光伏、风电等新能源发展,那么储能必然还会继续成为行业共识的发展赛道。而储能行业经过多年的发展,除了在商业化层面上的一些问题尚未能有效解决,储能本身的技术上,包括安全、可靠性等还需要芯片与储能系统等上下游厂商持续进行投入。
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LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 ?
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LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
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AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
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TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
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DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
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这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
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LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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