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2022年半导体行业十大发展趋势

华强芯城 ? 来源:华秋商城 ? 作者:华秋商城 ? 2022-01-20 09:50 ? 次阅读

导语:随着光、温度、压力、磁场、电场等环境因素的变化,导电性会发生相当大的变化,这是半导体主要特性之一。正是因为导电性的可变可控,使半导体成为电子供应链的重要参与者,如果没有半导体,晶体管传感器集成电路太阳能电池、智能手机等将不复存在。

2021年,缺芯引起全球各行业的关注与担忧,2022年,半导体短缺仍持续。接下来,半导体市场与技术将走向何方?让我们一起来看看2022年半导体10大趋势。

01芯片持续短缺

全球半导体芯片短缺扰乱了大多数行业并限制了全球电子供应链的正常运转。尤其是汽车和消费电子制造商感受到了芯片库存量下降的巨大压力,多家制造商被迫推迟产品发布,导致预期的收入损失严重。

随着对芯片的需求持续飙升,在可预见的未来,供应链可能仍会受到限制。这意味着每个人,包括半导体企业及其客户都应该专注于建立更有弹性的供应链——重新审视近期和长期战略,为未来做好准备,并从2021年全球制造业短缺中吸取经验教训并采取行动。

02新冠疫情加速半导体供应链本土化

随着新冠疫情常态化和国际贸易关系激化,各国半导体产业链也呈现出本土化的态势。

新冠疫情的反复爆发影响了半导体企业的运营,多家跨国企业被爆出因员工染疫而紧急停产,疫情防控能力迅速上升为跨国企业选择落户的首要条件。因此,企业通过缩减半导体供应链的长度,选择给本土供应商更多机会,从而也推动了本国产业链的建设,这是当前的一个重要趋势。

032022是4nm元年,台积电将主导3nm工艺

在半导体尖端制造工艺方面,三星代工在2020年临时将4LPE调整为全工艺节点,即4nm工艺将成为三星未来一段时间推广的重点。2021年10月,台积电发布消息基本明确N3工艺略有延迟,2022年可能成为4nm工艺元年。

iPhone 14赶上3nm工艺几乎是无望的。但基本上可以明确,虽然最快的采用台积电N3工艺的芯片可能要等到2023年第一季度,但N3工艺量产要等到2022年第四季度。我们认为三星3nm GAA可能会比台积电N3稍晚一些。三星在3nm节点开始以GAA结构晶体管为重点,但事实上,三星也未能顺应时机如期推进。而根据三星目前公开的数据来看,其最早的3nm工艺在技术层面可能会面临更大的不确定性。

至于Intel完全赶不上发展,台积电N3将继续保持市场主导地位,暂时遥遥领先其他两家对手。

04巨头自研专用芯片取代通用芯片

许多科技巨头,如苹果、特斯拉、谷歌和亚马逊,现在都在制造自己的ASIC芯片,为自己产品专用。这意味着,巨头们对软件硬件的整合有了更多的控制权,同时也使他们在竞争中脱颖而出。

例如,亚马逊现在正在使用他们内部的Graviton处理器;谷歌新发布的Pixel 6和Pixel 6 Pro手机,用的是谷歌设计的第一个人工智能芯片(嵌入Tensor);而苹果2021年推出的MacBook Pro则是基于该公司内部开发的M1芯片。

这些科技巨头都希望通过定制适合其应用特定要求的芯片来实现技术差异化,而不是使用与竞争对手相同的通用芯片。

05芯片架构之战

x86架构主导微处理器行业已超过50年。然而,随着Arm的日益普及,这种情况现在正在发生变化。虽然Arm的架构是出于对垂直应用所需的低功耗芯片的需求而诞生的,但它们不仅是低功耗解决方案,还是作为高性能竞争者,可以与成熟的x86相媲美。

因此,当谷歌和AWS等超大规模企业决定制造自己的芯片时,他们选择了Arm架构,因为它的性能和低功耗对耗电的数据中心、消费产品和可持续发展工作来说变得至关重要。

随着Arm继续捕获新客户,他们有望经历x86很久以前经历过的那种临界质量。正如历史所表明的那样,行业会转向量大的地方,而且公司已经开始为Arm平台专门开发各种应用和解决方案。

这种向Arm的不断转变正在改变半导体生态系统的动态。与x86平台不同的是,企业可以从一两个供应商那里购买,而Arm已经成为一个经纪人,向多家公司提供他们的IP。通过选择Arm,企业可以灵活地设计自己的芯片,同时仍由台积电制造,而不必投资建设昂贵的工厂。

此外,由于RISC-V架构的开源优势和更好的功耗,在无晶圆厂半导体公司SiFive的部分推动下,RISC-V架构在物联网设备和其他应用中的势头越来越猛。

06先进封装技术成为"新摩尔定律"

在过去的几十年里,摩尔定律就像一盏灯塔,引领着半导体行业的发展。然而,由于物理限制和制造成本的原因,当先进的制程技术达到5nm、3nm,甚至2nm时,通过逻辑晶体管微型化工艺来实现更高的经济价值正在逐渐变得不那么有效。

从市场趋势看,过去十年数据计算的发展已经超过了过去四十年的总和。云计算、大数据分析、人工智能、Al推理、移动计算,甚至自动驾驶汽车都需要海量计算。要解决算力增长问题,除了通过CMOS微型化继续提高密度外,重要的是结合不同的工艺/架构、不同的指令和不同的硬件功能。

因此,一条不再直线增长的IC技术发展道路,以及市场对创新解决方案的需求,将先进封装技术,推向了创新的前沿。

最新研究数据显示,从2020年到2026年,先进封装市场将以约7.9%的复合年增长率增长。到2025年,仅市场收入就将超过420亿美元,几乎是传统封装预期增长率的三倍市场(2.2%)。其中,2.5D/3D堆叠IC、嵌入式裸片(Embedded Die,ED)和扇出封装(Fan-Out,FO)是增长最快的技术,复合年增长率分别为21%、18%和16%分别。

目前,OSAT公司、代工厂、IDM、Fabless公司、EDA工具供应商等都斥巨资加入到先进封装市场的竞争中。在可预见的未来,2.5D/3D封装技术将成为"先进封装"的核心,提高互连密度和采用Chiplet设计将是驱动"先进封装"发展的两条技术路径。

07硅光子学

早在几十年前,数据通信和电信行业中硅光子技术的到来已经被预言。事实上,用光纤和硅光子接口代替铜线已成为现实,只是速度比预期的要慢。

IEEE认为,硅光子学将成为解决高端系统结构中的带宽、延迟和能量挑战的基础技术。硅光子学优势很多,首先,硅光子学成本低;其次,硅光子设计类似于CMOS ASIC,开发与成本均相当。

08半导体芯片冷却技术

2022年半导体市场的另一个主要趋势是半导体芯片的冷却技术。

众所周知,手机在充电或长时间使用时会略微发热。幸运的是,这种发热程度未达到危险水平,这主要得益于半导体设计专家部署的热管理技术。

追求电子产品体积更小,同时性能更高的当下,多芯片封装是必然的趋势。但把几个芯片被封装在一个相对较小的区域中,热管理成为一项更具挑战性的任务。目前,在半导体设计中使用微通道冷板是解决发热问题的主要方法之一——将冷却剂均匀地分布在发热的表面上。

此外,科学家们正在开发一种新的芯片设计,其中包含晶体管和微流体冷却系统,这或许会成为2022年半导体重大技术突破之一。

09可持续性发展的半导体工厂

由于5G、人工智能和物联网(IoT)等新兴技术,对半导体的需求从未像现在这样大,并且预计将继续增长。为了满足这一需求,需要增加半导体产量,这将导致能源消耗和用水量大幅增加。

单个半导体工厂每年可消耗高达1 TWh的能源和每天2到400万加仑的超纯水。台积电和英特尔等行业领导者正在采取积极措施,并一直在开展实质性的可持续发展计划。

例如,台积电通过水资源风险管理、多样化水源的扩展、污染防治技术的开发,建立了各种水循环应用,以最大限度地提高用水效率。

同样,英特尔公布了其2030年运营可持续发展目标,作为其成为可持续发展全球领导者愿望的一部分。到2030年,公司计划通过节约600亿加仑的水和资助外部水恢复项目来实现净正用水。该公司还打算在英特尔的全球制造业务中实现100%的可再生能源使用,并节省40亿千瓦时的能源。

还有知名半导体制造制造商——应用材料公司,承诺到2030年在全球范围内实现100%的可再生能源采购,以改善半导体工厂对环境的影响。

10加密货币抢夺芯片制造产能

现在加密货币挖矿规模越加庞大,它出现在全球最大的芯片制造商台积电的收益中。台积电占领全球芯片代工市场的一半以上,是全球最大的代工制造商,几家主要的ASIC公司正在通过台积电制造用于比特币挖矿的芯片。例如,比特大陆(IC设计公司)为区块链和人工智能(AI)应用提供芯片、服务器和云解决方案等产品。

在经济方面,美国政府发行的数字货币可能是中美之间最有效的“战争武器”之一。这不可能很快发生,因为中国已经率先将数字货币和电子支付结合起来。令人担忧的是,它很可能会扰乱传统银行和全球经济。现在有几家科技公司接受比特币,包括Square、PayPal和Tesla。

结语:

随着近年来5G、汽车、AI、物联网等新兴技术的推进,半导体行业的增长还是指数级的。20年前,中国只有不到100家芯片企业,而今已经发展到近1700家,发展迅猛。2021年的短缺让全世界都认识到芯片是整个电子行业的引擎,2022年,这场全球半导体竞争只会越加激烈。

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原文标题:2022年,半导体市场与技术将走向何方?

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审核编辑:汤梓红

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    CHL8112B 芯片已经停产,跪求各位大神有没有详细的手册,现在能找到的只有两页的版本。

    CHL8112B 芯片已经停产,跪求各位大神有没有详细的手册,现在能找到的只有两页的版本。 ...
    发表于 05-11 11:25 ? 2420次 阅读

    请问 COM180是什么芯片

    请问下,芯片型号是COM180和COM305,这两个芯片是什么作用,百度找不到。 ...
    发表于 05-11 11:22 ? 2089次 阅读

    STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

    RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
    发表于 05-20 16:05 ? 269次 阅读

    FPF2290 过压保护负载开关

    0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-31 13:02 ? 293次 阅读

    FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

    39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
    发表于 07-31 13:02 ? 524次 阅读

    NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
    发表于 07-30 19:02 ? 268次 阅读
    NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

    4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 18:02 ? 197次 阅读
    NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

    NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 18:02 ? 738次 阅读
    NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

    0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
    发表于 07-30 18:02 ? 224次 阅读

    NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 17:02 ? 315次 阅读
    NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

    4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 17:02 ? 462次 阅读
    NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

    NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 16:02 ? 366次 阅读
    NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

    NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 ? 371次 阅读
    NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

    4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 ? 854次 阅读
    NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

    NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 13:02 ? 570次 阅读
    NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

    NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
    发表于 07-30 12:02 ? 398次 阅读

    NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

    0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
    发表于 07-30 12:02 ? 250次 阅读

    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 06:02 ? 253次 阅读
    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

    80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 04:02 ? 582次 阅读
    FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

    NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

    1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 00:02 ? 414次 阅读

    NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

    是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
    发表于 07-29 21:02 ? 591次 阅读

    AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

    是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:?HiSPi(SLVS) - 4个车道?MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
    发表于 07-29 16:02 ? 1466次 阅读
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