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                  ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

                  2021年07月08日 16:31 ? 次阅读

                    ~损耗比以往IGBT产品低67%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗~

                    

                    近年来,在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中,电动汽车(xEV)得以日益普及。为了进一步提高系统的效率,对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求,超低损耗的SiC功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和传统的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET等)都在经历技术变革。

                    ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案,不仅专注于行业先进的SiC功率元器件,还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次,开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。

                    “RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗(以下称“开通损耗”*3)。在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET (SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

                    新产品已于2021年3月开始出售样品(样品价格:1,200日元/个,不含税),预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外,在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。

                    今后,ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件,同时,提供设计工具以及各种解决方案,通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。

                    

                    <新产品特点>

                    ●损耗比以往IGBT产品低67%,为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比

                    “RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管(Si-FRD)的IGBT产品相比,成功地大幅降低了开通损耗,在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67%。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比,损耗也可降低24%。在转换效率方面,新产品可以在更宽的工作频率范围确保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作频率下,效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

                    

                    ●符合AEC-Q101标准,可在恶劣环境下使用

                    新系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”,即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。

                    <关于各种设计数据>

                    为了加快本系列产品的应用,在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和仿真用的模型(SPICE模型)等。

                    <Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容>

                    

                    ※除了本系列Hybrid IGBT外,产品阵容中还包括使用Si-FRD作为续流二极管的产品和无续流二极管的产品。

                    <应用示例>

                    ?车载充电器 ?车载DC/DC转换器

                    ?太阳能逆变器(功率调节器) ?不间断电源装置(UPS)

                    <术语解说>

                    *1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”

                    AEC是AutomoTIve Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)制定的标准。

                    *2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)、SJ-MOSFET(Super JuncTIon Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

                    两者均为通常使用Si衬底生产的功率半导体,它们的器件结构不同。IGBT比其他功率半导体的成本更低,但存在需要续流二极管才能工作(需要双芯片结构才能工作)、关断损耗较大的课题;与IGBT相比,SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作(单芯片结构即可工作),而且关断损耗较小,但存在难以应对大功率的问题。作为一项突破,IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD,推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。

                    

                    *3) 开通损耗和关断损耗

                    两者均为晶体管等半导体元件开关时产生的损耗(开关损耗)。开通损耗是在元件ON时产生的损耗,关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。理想情况下,这些损耗应该为零,但实际上,由于结构上的缘故,在ON和OFF之间切换时,不可避免地会流过不必要的电流,从而产生损耗,因此对于功率半导体来说,设法减少这些损耗是非常重要的工作。

                    

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                  详情见附件
                  发表于 2021-05-17 16:42? 631次阅读
                  电车里的核心“CPU”!IGBT6.0芯片将发布:性能重大突破

                  【原创分享】MOS和IGBT的区别讲解(三)-栅极电阻选型测试(大功率)

                  一、实验仪器及硬件 1、罗氏线圈电流探头:2、多通道示波器及高压差分探头:3、手工绕制的空心电感:二、双脉冲测试实...
                  发表于 2021-05-17 09:49? 606次阅读
                  【原创分享】MOS和IGBT的区别讲解(三)-栅极电阻选型测试(大功率)

                  什么原因导致了静态雪崩击穿?

                  IGBT关断时,如果关断过快,di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静....
                  发表于 2021-05-15 14:51? 479次阅读
                  什么原因导致了静态雪崩击穿?

                  积极布局功率半导体 中车电气科创板IPO过会

                  5月13日消息 昨日晚间,上交所发布科创板上市委2021年第30次审议会议结果公告,株洲中车时代电气....
                  发表于 2021-05-13 10:42? 1286次阅读
                  积极布局功率半导体 中车电气科创板IPO过会

                  比亚迪:拟将比亚迪半导体分拆至创业板上市

                  5月12日消息 比亚迪发布公告称,公司拟将控股子公司比亚迪半导体分拆至深交所创业板上市。此前,去年(....
                  发表于 2021-05-12 17:48? 950次阅读
                  比亚迪:拟将比亚迪半导体分拆至创业板上市

                  双脉冲开关的特性是什么,IGBT开通和关断过程描...

                  在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来....
                  发表于 2021-05-06 10:06? 611次阅读
                  双脉冲开关的特性是什么,IGBT开通和关断过程描...

                  宽禁带(WBG)半导体技术将有望实现新电机能效及...

                  国际能源署(IEA)估计,电机功耗占世界总电力的45%以上。因此,找到最大化其运行能效的方法至关重要....
                  发表于 2021-05-01 09:56? 458次阅读
                  宽禁带(WBG)半导体技术将有望实现新电机能效及...

                  功率器件动态参数/双脉冲测试方案

                  功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管[IGBT) ,这些功率器件提供了快速开关速度....
                  发表于 2021-04-30 11:50? 220次阅读
                  功率器件动态参数/双脉冲测试方案

                  正温系数(PTC)加热器的应用及其它汽车应用产品...

                  传统内燃机汽车通过发动机加热的冷却液实现加热系统。在冷却液温度上升相对较慢的柴油车中,采用PTC加热....
                  发表于 2021-04-26 11:19? 690次阅读
                  正温系数(PTC)加热器的应用及其它汽车应用产品...

                  剖析拆解电动智能汽车“缺芯”的方程式

                  开春以来,手机市场巨头和无人机市场独角兽先后入局电动智能汽车领域,给原本就火热的电动智能汽车市场添上....
                  发表于 2021-04-26 09:14? 733次阅读
                  剖析拆解电动智能汽车“缺芯”的方程式

                  关于深度解析汽车点中火系统中对智能IGBT技术的...

                  要产生火花,所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学....
                  发表于 2021-04-21 14:59? 456次阅读
                  关于深度解析汽车点中火系统中对智能IGBT技术的...

                  探究变频器凝露的形成、危害及预防措施

                  随着我国经济、社会和科学技术的高速发展,我国各行各业广泛的应用着大量的变频器。由于应用领域广泛,加之....
                  发表于 2021-04-21 14:25? 494次阅读
                  探究变频器凝露的形成、危害及预防措施

                  ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600...

                  ROHM新开发出四款可同时降低辐射噪声和功率损耗、并在这两方面均实现了业内超高特性的IGBT IPM....
                  发表于 2021-04-20 15:14? 198次阅读
                  ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600...

                  探究电驱动电磁兼容EMC开发测试闭环方案的建立

                  新能源汽车电驱动系统的电磁干扰问题一直是汽车工业界的技术难题。受制于电磁干扰法规测试超标的困扰,无论....
                  发表于 2021-04-16 10:17? 519次阅读
                  探究电驱动电磁兼容EMC开发测试闭环方案的建立

                  IGBT的工作原理与结构参数及短路特性

                  IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物,双极型三极管具有低频(10KHz以下)大电流能力,....
                  发表于 2021-04-13 18:24? 1377次阅读
                  IGBT的工作原理与结构参数及短路特性
                  欧美美女的白虎